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半导体器件可靠性分析：电迁移分析all.docx

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    电迁移分析

    1.电迁移的基本概念

    电迁移（Electromigration,EM）是指在高电流密度下，导电材料中的原子在电子风力（电子流产生的动量转移）作用下发生迁移的现象。这种迁移会导致导线的形态和结构发生变化，从而影响器件的可靠性和性能。在现代半导体器件中，电迁移是导致互连失效的主要原因之一，特别是在纳米尺度的互连中更为严重。

    1.1电迁移的物理机制

    电迁移的物理机制主要包括以下几点：

    电子风力：电子在导线中流动时，会与晶格中的原子发生碰撞，将动量转移到原子上，使原子发生迁移。

    空位扩散：在电流的作用下，导线中的空位（缺少原子的位置）会向阳极方

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