关于背崩和硅残留的检验方法.docxVIP

关于背崩和硅残留的检验方法首先背崩和硅残留在个人来看两者之间是有关系。简单的说严重的硅残留就是背

崩，按照目前检验的方式是每5片挑5点，在挑片时候可以发现残留的问题。如要卡住残留问题那么就要加强挑点的力度。

背崩的检验规范是在长电的基础上转变过来，经过和王文源部长商议最终确定卜

来的。现在顾客的反应加之目前的市场形式我认为需要对检验规范加强，但是具体客六想把背崩和硅残留的度控制在什么范围内，希望市场部和质量部能结合可户的要求给出参考意见。（因为在处理客户反应时发现，同种背崩度在同一时期有的NG,有的PASS,因此希望能和客户建立标准来指导检验。）目前划片为了检验是否脱金属层，送来的片子每小批抽一片翻膜检验，退回来片

子是否是这类占多？目前中测无相应的数据。如果是这类圆片占多，那么否这工项工作划片可以不做？

关于自光（节能灯光）和红光哪种显微镜更能检验出背崩或硅残留的问题，个人

认为红光检验芯片外表（如刀痕是否偏，是否有划伤等）是比拟合适的。但是要发现背崩和硅残留，只有在白光（节能灯光）卜观察才能更好的检验出来，因为在红光在检验时光线很难透过蓝色的膜看到芯片反面。观察时候会容易把篮膜上的一些气泡类的误看成硅，（因为颜色都是黑色）。检验班老师傅们也同意该观点。

以下是同一个圆片同样的管芯在两个不同光下的比拟【图11【图2】

【图1】为白光卜一的缩小版，但是依然可以清晰的看到有少许背崩【图2】为红光下的缩小版（缩小比例同上），虽然仔细看可以发现背崩，但是图象反映得很不清楚。