氮化镓与金属（氧化物）纳米多层膜离子辐照损伤的微观机制与性能演变.docx

氮化镓与金属（氧化物）纳米多层膜离子辐照损伤的微观机制与性能演变

一、引言

1.1研究背景与意义

在材料科学领域，对新型材料的探索与研究始终是推动科技进步的关键力量。氮化镓（GaN）作为第三代宽禁带半导体材料的杰出代表，凭借其独特的物理性质，如宽禁带、高电子迁移率、高击穿电场以及高热导率等，在众多领域展现出巨大的应用潜力。在光电子领域，氮化镓基发光二极管（LED）和激光二极管（LD）广泛应用于照明、显示、光通信等方面，极大地提升了相关产品的性能和效率。在微波器件领域，氮化镓器件的高功率和高频率特性使其成为5G通信基站、雷达系统等的理想选择，为实现高速、高效的通信和探测提供了有力支持。