2025 年大学电子科学与技术（半导体物理）试题及答案.docVIP

2025年大学电子科学与技术（半导体物理）试题及答案

（考试时间：90分钟满分100分）

班级______姓名______

一、选择题（总共10题，每题3分，每题只有一个正确答案，请将正确答案填写在括号内）

1.半导体中参与导电的载流子是（）

A.电子B.空穴C.电子和空穴D.离子

2.本征半导体的导电能力取决于（）

A.温度B.杂质浓度C.光照D.以上都是

3.杂质半导体中，P型半导体的多数载流子是（）

A.电子B.空穴C.离子D.中子

4.半导体的禁带宽度随着温度的升高而（）

A.增大B.减小C.不变D.先增大后减小

5.当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流。

A.大于B.小于C.等于D.不确定

6.某半导体的电子迁移率为0.1m2/(V·s)，空穴迁移率为0.05m2/(V·s)，则其电导率（）

A.与电子浓度和空穴浓度有关B.只与电子迁移率有关

C.只与空穴迁移率有关D.与两者都无关

7.半导体中的复合过程主要有（）

A.直接复合B.间接复合C.表面复合D.以上都是

8.光生伏特效应是指（）

A.光照使半导体产生电动势B.光照使半导体电阻变化

C.光照使半导体电流增大D.光照使半导体温度升高

9.半导体激光器产生激光的条件不包括（）

A.粒子数反转分布B.光学谐振腔C.合适的工作物质D.足够的光照

10.下列哪种材料不是半导体（）

A.硅B.锗C.铜D.砷化镓

二、多项选择题（总共5题，每题4分，每题有两个或两个以上正确答案，请将正确答案填写在括号内）

1.半导体的特性包括（）

A.热敏性B.光敏性C.掺杂性D.绝缘性

2.杂质半导体的类型有（）

A.N型B.P型C.本征型D.混合型

3.PN结的特性有（）

A.单向导电性B.电容效应C.光电效应D.热电效应

4.半导体中载流子的散射机制有（）

A.晶格散射B.杂质散射C.电离杂质散射D.表面散射

5.半导体光电器件包括（）

A.发光二极管B.光电二极管C.太阳能电池D.场效应管

三、判断题（总共10题，每题2分，正确的打“√”，错误的打“×”）

1.半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。（）

2.本征半导体中没有载流子。（）

3.杂质半导体的导电能力只与杂质浓度有关。（）

4.PN结加正向电压时导通，加反向电压时截止。（）

5.半导体的迁移率与温度无关。（）

6.复合过程会使半导体中的载流子减少。（）

7.光生伏特效应只能在特定半导体材料中发生。（）

8.半导体激光器发出的光具有单一波长。（）

9.所有半导体材料都能用于制造光电器件。（）

10.半导体中的载流子在电场作用下定向移动形成电流。（）

四、简答题（总共3题，每题10分，请简要回答下列问题）

1.简述PN结的单向导电性原理。

2.说明半导体中载流子的产生和复合过程。

3.分析影响半导体迁移率的因素。

五、论述题（总共1题，每题20分，请详细论述下列问题）

阐述半导体光电器件在现代科技中的应用及发展趋势。

答案：

一、选择题

1.C

2.A

3.B

4.B

5.A

6.A

7.D

8.A

9.D

10.C

二、多项选择题

1.ABC

2.AB

3.AB

4.ABCD

5.ABC

三、判断题

1.√

2.×

3.×

4.√

5.×

6.√

7.×

8.×

9.×

10.√

四、简答题

1.PN结加正向电压时，外电场与内电场方向相反，削弱内电场，使空间电荷区变窄，多数载流子的扩散运动增强，形成较大的正向电流，PN结导通；加反向电压时，外电场与内电场方向相同，增强内电场，使空间电荷区变宽，多数载流子的扩散运动受到抑制，只有少数载流子的漂移运动，形成很小的反向电流，PN结截止，表现出单向导电性。

2.半导体中载流子的产生主要有热激发，使价带中的电子跃迁到导带成为自由电子，同时在价带中留下空穴；杂质电离，杂质原子提供导电载流子。复合过程包括直接复合，导带电子直接与价带空穴复合；间接复合，通过禁带中的复合中心进行复合；表面复合，发生在半导体表面的复合。

3.影响半导体迁移率的因素有：温度升高，晶格振动加剧，载流子散射增强，迁移率减小；杂质浓度增加，电离杂质散射增强，迁移率降低；