探索Ⅲ-Ⅴ族非晶态探测器材料:制备、特性与应用的深度剖析.docx

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探索Ⅲ-Ⅴ族非晶态探测器材料:制备、特性与应用的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代,光电器件作为信息获取、传输与处理的关键部件,广泛应用于通信、医疗、军事、工业自动化等众多领域。从日常使用的摄像头,到高端的科研设备,光电器件的身影无处不在,其性能的优劣直接影响着相关系统的运行效率和应用效果。而Ⅲ-Ⅴ族非晶态探测器材料,凭借其独特的物理性质和潜在的应用价值,在光电器件领域占据着举足轻重的地位。

Ⅲ-Ⅴ族晶体半导体材料以其稳定性好、高吸收系数、高迁移率以及有望在室温工作等特点,早已引起了科研人员和产业界的广泛关注。它们在发光二极管(LEDs)、激光二极管(L

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