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材料科学基础塑性题库及答案

一、名词解释

1.位错密度：单位体积晶体中包含的位错线总长度，常用ρ表示，单位为m?2。位错密度是衡量晶体中位错数量的重要参数，直接影响材料的强度与塑性变形能力。

2.滑移系：晶体中一个滑移面与其上一个滑移方向的组合。滑移系的数量与晶体结构密切相关（如面心立方晶体的滑移系为{111}110，共12个），决定了材料塑性变形的难易程度。

3.加工硬化：金属材料在塑性变形过程中，随着变形量增加，强度和硬度升高而塑性和韧性下降的现象。其本质是位错增殖与相互作用导致位错运动阻力增大。

4.再结晶温度：冷变形金属在一定时间（通常1小时）内完成再结晶的最低温度，一般为金属熔点的0.3~0.4倍（以绝对温度计）。再结晶温度是制定金属热加工工艺的关键参数。

5.柯氏气团：溶质原子（尤其是间隙原子）在位错周围偏聚形成的溶质原子云。由于溶质原子与位错应力场的交互作用，柯氏气团会钉扎位错，阻碍其运动，从而提高材料的屈服强度。

6.孪生切变：晶体在切应力作用下，一部分晶体相对于另一部分晶体沿特定晶面（孪生面）和晶向（孪生方向）产生均匀切变的塑性变形方式。孪生后变形部分与未变形部分形成镜面对称的晶体结构。

7.固溶强化：通过向基体金属中溶入溶质原子形成固溶体，使材料强度提高的现象。其机制包括溶质原子与位错的弹性交互作用、电交互作用和化学交互作用。

8.包辛格效应：金属材料经预先加载产生少量塑性变形后，反向加载时屈服强度降低的现象。该效应与位错运动的可逆性及残余应力有关，对冷弯、校直等工艺有重要影响。

9.回复：冷变形金属在加热时，尚未发生再结晶的低温阶段（约0.1~0.3Tm），通过位错的滑移、攀移和重新排列，使点缺陷密度显著降低、内应力部分消除的过程。

10.动态再结晶：金属在热塑性变形过程中（变形与加热同时进行），当变形储能达到临界值时，通过形核与长大形成新的无畸变晶粒的过程。动态再结晶可有效细化晶粒，改善材料的加工性能。

二、简答题

1.简述位错运动的主要方式及其区别

位错运动的主要方式包括滑移和攀移。

-滑移：位错在滑移面上的运动，由切应力驱动，位错线沿滑移面移动，导致晶体表面产生台阶（滑移线）。滑移不改变位错的伯氏矢量方向，且不需要原子的扩散（低温下即可发生）。

-攀移：位错在垂直于滑移面方向的运动，由正应力或温度驱动（需原子扩散）。攀移通过空位的定向移动（正攀移）或原子的沉积（负攀移）实现，会改变位错的高度位置，主要发生在高温下。

2.比较滑移与孪生的异同点

相同点：均为晶体塑性变形的基本方式，通过切变实现；均需要临界切应力驱动；变形后晶体仍保持连续性。

不同点：

-变形范围：滑移是晶体局部的不均匀切变（切变量为原子间距的整数倍），孪生是晶体一部分的均匀切变（切变量小于原子间距）。

-晶体取向：滑移后晶体取向不变，孪生后变形部分与未变形部分呈镜面对称。

-变形条件：滑移易在常温下发生（需位错运动），孪生多发生在低温或滑移系少的晶体（如密排六方金属）。

-对塑性的贡献：滑移对塑性贡献大（可累积大变形），孪生贡献小（仅局部变形）。

3.加工硬化的微观机制是什么？其工程意义有哪些？

微观机制：塑性变形过程中，位错增殖（如弗兰克-里德源开动）导致位错密度增加；位错间发生交截、缠结，形成位错塞积群或位错胞，阻碍位错运动；溶质原子与位错交互作用（如柯氏气团钉扎）进一步增大位错运动阻力。

工程意义：

-强化手段：通过冷加工提高材料强度（如冷轧钢板）。

-加工成形：防止局部变形过大导致断裂（如拉深时通过加工硬化使变形均匀）。

-安全储备：材料在过载时因加工硬化而延缓断裂。

4.霍尔-佩奇公式的表达式是什么？其物理意义和适用条件是什么？

表达式：σs=σ0+kyd?1/2，其中σs为屈服强度，σ0为晶内位错运动的摩擦应力，ky为晶界强化系数，d为晶粒直径。

物理意义：晶粒越细，晶界越多，位错在晶界处的塞积长度越短，导致晶界阻碍位错运动的能力越强，材料屈服强度越高（细晶强化）。

适用条件：适用于室温下的多晶体金属，晶粒尺寸在微米级（1~100μm）；当晶粒过细（纳米级）时，可能出现反霍尔-佩奇效应（强度随晶粒细化而降低）。

5.回复阶段材料的组织与性能会发生哪些变化？

组织变化：点缺陷（空位、间隙原子）密度显著降低（通过复合或迁移至表面/晶界）；位错通过滑移和短程攀移重新排列，形成位错墙或亚晶界，亚晶粒尺寸略有增大（但无新晶粒形成）。

性能变化：电阻率明显下降（点缺陷减少）；内应力部分消除（宏观残余应力降低50%~80%）；硬度和强度略有