金凸点芯片倒装键合的失效分析方法.pdfVIP

电子工艺技术

20245453ElectronicsProcessTechnology21

年月第卷第期

金凸点芯片倒装键合的失效分析方法

柳溪溪，冀乃一，邢增程

（中国电子科技集团公司第十三研究所，石家庄050000）

摘要：给出了倒装芯片金凸点倒装键合失效的主要界面形式。以制备的直径为60±5μm金凸点的Si芯

片-GaAs芯片形式的倒装芯片作为研究样品，试验了业界常用的无损检测技术以及破坏性检测技术对倒装芯片堆

叠界面的观测效果。其中工业CT、制样研磨的方式可较好地观测堆叠失效界面的细节信息。最后给出了倒装芯片

失效分析的定位思路，并采用失效芯片进行了验证，对倒装芯片的失效分析有一定的指导意义。

关键词：金凸点；倒装键合；无损检测；失效分析

中图分类号：TN406文献标识码：Ａ文章编号：1001-3474（2024）03-0021-04

FailureAnalysisMethodofFlip-chipBondingonGoldBumpedChips

LIUXixi,JINaiyi,XINGZengcheng

(The13thResearchInstituteofCETC,Shijiazhuang050000,China)

Abstract:Themainformsofgoldbumpflip-flopbondingfailureinflipchiparegiven.Flip-chipsinthe

formofSichip-GaAschipwith60±5µmdiametergoldbumpsarepreparedasresearchsamples,thenthe

observationofflip-chipstackedinterfacesbyNDTanddestructivetestingtechniquescommonlyusedin

theindustryisexperimented.IndustrialCT,samplepreparationandgrindingcanbeusedtobetterobserve

thedetailsofthestackfailureinterface.Finally,thelocalizationideaofflipchipfailureanalysisisgivenand

verifiedusingafailedchip,whichisaguidetothefailureanalysisofflipchip.

Keywords:goldbump;flipbonding;non-destructivetesting;failureanalysis

DocumentCode:AArticleID:1001-3474(2024)03-0021-04

随着电子产品的快速发展，对封装系统高集凸点倒装芯片失效分析难定位的问题给出了分析方

成、小型化和高可靠提出了更高的要求。传统的2D法以及技术手段。

封装已逐渐不满足发展的需求[1]。

倒装芯片键合作为一种面阵列互连工艺，其互1金凸点失效类别

连长度短、互连密度高，广泛应用于高引出端数的超基于金-金键合方式的芯片倒装工艺，以金凸点

大规模集成电路封装以及高频集成电路封装领域[2]。作为上下芯片间的互连载体。工艺过程为对芯片施

倒装芯片虽具有互连密度高的优势，但因顶部加压力、温度、超声能量，在极短的时间（一般不

芯片的阻挡，无法对完成装配后的倒装芯片内部凸超过1s）内即可实现数百凸点的同时连接