GaN基Micro-LED反向漏电流失效机理分析.pdfVIP

第45卷第9期发光学报Vol.45No.9

2024年9月CHINESEJOURNALOFLUMINESCENCESept.,2024

文章编号：1000-7032（2024）09-1539-08

GaN基Micro-LED反向漏电流失效机理分析

1*21

王伟，张腾飞，王绶玙

（1.无锡学院江苏省集成电路可靠性技术及检测系统工程研究中心，江苏无锡214105；

2.南京信息工程大学电子与信息工程学院，江苏南京210044）

摘要：针对GaN基蓝光Micro-LED芯片，采用温度应力和电压应力的实验方法研究了其反向漏电流失效机

理。结果表明，在温度应力下，Micro-LED芯片退化前的反向漏电流主要由多步热辅助隧穿电流构成，且受

Poole-Frenkel（PF）隧穿机制影响；电压应力（-85V）退化后，反向漏电流会随着应力时间的延长而增大，此时由

多步热辅助隧穿电流转换为空间电荷限制电流机制（SCLC）。通过分析退化前后的能带图得知，长时间的电

压应力会发生击穿现象，导致Micro-LED芯片内部电场剧烈变化，电子能够以高能量碰撞到晶格原子，产生大

−7−4

量的载流子，从而增加了非辐射复合率，使得反向漏电流由原来的1.9766×10A增大到1.5834×10A。

关键词：Micro-LED；失效机制；非辐射复合；遂穿通道；反向漏电流

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中图分类号：TN312.8文献标识码：ADOI：10.37188/CJL.

AnalysisofFailureMechanismofReverseLeakageCurrentin

GaN-basedMicro-LEDs

1*21

WANGWei，ZHANGTengfei，WANGShouyu

（1.JiangsuProvinceIntegratedCircuitReliabilityTechnologyandTestingSystemEngineeringResearchCenter，

WuxiUniversity，Wuxi214105，China；