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分子束外延生长AIN缓冲层对Si基GaN外延薄膜性能的影响：机理、实验与应用.docxVIP

分子束外延生长AIN缓冲层对Si基GaN外延薄膜性能的影响：机理、实验与应用.docx

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    分子束外延生长AIN缓冲层对Si基GaN外延薄膜性能的影响：机理、实验与应用

    一、引言

    1.1研究背景与意义

    随着现代电子技术的飞速发展，对半导体材料的性能要求日益提高。以氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料，凭借其卓越的特性，如高电子迁移率、高击穿电场、高热导率以及良好的化学稳定性等，在光电器件、高频电子器件和功率电子器件等领域展现出了巨大的应用潜力，成为了现代电子工业的关键支撑材料。

    在众多应用中，Si基GaN外延薄膜由于硅（Si）衬底具有成本低廉、易于加工、尺寸大且晶体质量高、便于集成等显著优势，成为了实现GaN基器件大规模应用的理想选择。硅材料在半导体行业中拥有成熟

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