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基于第一性原理的高p型导电率氧化锌设计与导电性计算研究
一、绪论
1.1引言
半导体材料作为现代信息技术的基石,在电子学、能源、通信等众多领域发挥着至关重要的作用。从早期的硅基半导体到如今的宽禁带半导体,材料的不断创新推动着技术的飞速发展。氧化锌(ZnO)作为一种新型的宽禁带半导体材料,凭借其独特的物理性质和广泛的应用前景,近年来受到了科学界和工业界的高度关注。
ZnO具有直接宽带隙(室温下约为3.37eV)和高激子束缚能(约为60meV),这使得它在短波长光电器件如紫外发光二极管(UV-LED)、激光二极管(LD)以及太阳能电池等领域展现出巨大的应用潜力。此外,ZnO还具备良
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