探秘掺杂GeTe纳米线：制备工艺与相变性能的深度剖析.docx

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2025-12-24 发布于上海
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探秘掺杂GeTe纳米线：制备工艺与相变性能的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，对新型材料的需求日益迫切。GeTe作为一种重要的化合物半导体材料，因其独特的物理性质，在多个领域展现出巨大的应用潜力。在相变存储领域，GeTe是一种关键的相变材料，其在晶相和非晶相之间能够实现快速可逆的相变，这一特性使得基于GeTe的相变存储器具有读写速度快、两态电阻差异大及更好的等比缩小特性等优点，成为下一代非易失存储器的有力竞争者之一。通过电脉冲的施加，GeTe材料可以在低阻态的晶态和高阻态的非晶态之间快速转换，从而实现数据的写入、擦除和读取操作，其相变过程仅在几个纳秒内