无锡黑锋科技HFD5N20 N 200V MOS TO-252.pdfVIP

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2025-12-25 发布于广东
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无锡黑锋科技HFD5N20 N 200V MOS TO-252.pdf

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HFD5N20

N-Ch200VFastSwitchingMOSFETs

Description

TheHFD5N20isthehighcelldensitytrenchedN-chMOSFETs,whichprovideexcellent

RDSONandgatechargeformostofthesynchronousbuckconverterapplications.

TheHFD5N20meettheRoHSandGreenProductrequirement,100%EASguaranteedwithfull

functionreliabilityapproved.

Features

GreenDeviceAvailableExcellentCdv/dteffectdecline

SuperLowGateChargeAdvancedhighcelldensityTrenchtechnology

ProductSummary

VDSSRDSONID

200V450mΩ5.5A

TO-252PinConfiguration

第页共页

HFD5N20

N-Ch200VFastSwitchingMOSFETs

ElectricalCharacteristics

TA25°C,unlessotherwisenoted

ParameterSymbolTestConditionsMin.Typ.Max.Unit

Staticcharacteristics

DraintoSource

VV0V,I250µA200----V

DSSGSD

BreakdownVoltage

DraintoSource

IDSSVDS200V,VGS0V----1µA

LeakageCurrent

GatetoSource

IGSS(F)VGS+20V,VDS0V----100nA

ForwardLeakage

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公司经营范围包括科技推广、集成电路设计、半导体器件制造、电子元器件销售等。其核心产品HF6213是一款高PSRR、低噪声射频LDO稳压器，适用于无线通信模块和音频编解码器等场景。

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