无锡黑锋科技HFD30G03 N+P MOS 30V TO252-4.pdfVIP

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2025-12-25 发布于广东
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无锡黑锋科技HFD30G03 N+P MOS 30V TO252-4.pdf

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HFD30G03

N-ChandP-ChFastSwitchingMOSFETS

Description

TheHFD30G03isthehighperformancecomplementaryN-chandP-chMOSFETswithhighcell

density,whichprovideexcellentRDSONandgatechargeformostofthesynchronousbuckconverter

applications.

TheHFD30G03meettheRoHSandGreenProductrequirement100%EASguaranteedwithfull

functionreliabilityapproved.

Features

GreenDeviceAvailableExcellentCdV/dteffectdecline

100%EASGuaranteedAdvancedhighcelldensityTrenchtechnology

SuperLowGateCharge

ProductSummary

BVDSSRDSONID

30V7.5mΩ30A

-30V25mΩ-30A

TO252-4PinConfiguration

第1页共9页

HFD30G03

N-ChandP-ChFastSwitchingMOSFETS

N-ChannelElectricalCharacteristics

TJ25°C,unlessotherwisenoted

SymbolParameterTestConditionMin.Typ.Max.Units

OffCharacteristic

VDrain-SourceBreakdownVoltageV0V,I250μA30--V

(BR)DSSGSD

IDSSZeroGateVoltageDrainCurrentVDS30V,VGS0V--1.0μA

IGSSGatetoBodyLeakageCurrentVDS0V,VGS±20V--±100nA

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公司经营范围包括科技推广、集成电路设计、半导体器件制造、电子元器件销售等。其核心产品HF6213是一款高PSRR、低噪声射频LDO稳压器，适用于无线通信模块和音频编解码器等场景。

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