无锡黑锋科技HFD30N10 N 100V MOS TO-252.pdfVIP

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2025-12-25 发布于广东
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无锡黑锋科技HFD30N10 N 100V MOS TO-252.pdf

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HFD30N10

N-Ch100VFastSwitchingMOSFETS

Description

TheHFD30N10isthehighcelldensitytrenchedN-chMOSFETs,whichprovideexcellent

RDSONandgatechargeformostofthesynchronousbuckconverterapplications.

TheHFD30N10meettheRoHSandGreenProductrequirement,100%EASguaranteedwith

fullfunctionreliabilityapproved.

Features

GreenDeviceAvailableExcellentAdv/ateffectdecline

SuperLowGateChargeAdvancedhighcelldensityTrenchtechnology

ProductSummary

BVDSSRDSONID

100V32mΩ30A

TO-252PinConfiguration

第页共页

HFD30N10

N-Ch100VFastSwitchingMOSFETS

ElectricalCharacteristics

TJ25°C,unlessotherwisenoted

ParameterSymbolTestConditionsMin.Typ.Max.Unit

StaticCharacteristics

Drain-SourceBreakdownVoltageV(BR)DSSVGS0V,ID250µA100--V

Gate-bodyLeakagecurrentlGSSVDS0V,VGS±20V--±100nA

TJ25°C--1

ZeroGateVoltageDrainIDSS

CurrentTJVDS100V,VGS0V--100μA

100°C

Gate-ThresholdVoltageVGS(th)VDSVGS,ID250µA1.2-

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公司经营范围包括科技推广、集成电路设计、半导体器件制造、电子元器件销售等。其核心产品HF6213是一款高PSRR、低噪声射频LDO稳压器，适用于无线通信模块和音频编解码器等场景。

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