无锡黑锋科技HFD30N03 N 30V MOS TO-252.pdfVIP

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2025-12-25 发布于广东
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无锡黑锋科技HFD30N03 N 30V MOS TO-252.pdf

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HFD30N03

N-Ch30VFastSwitchingMOSFETS

Description

TheHFD30N03isthehighcelldensitytrenchedN-chMOSFETs,whichprovideexcellent

RDSONandgatechargeformostofthesynchronousbuckconverterapplications.

TheHFD30N03meettheRoHSandGreenProductrequirement,100%EASguaranteedwith

fullfunctionreliabilityapproved.

Features

100%EASGuaranteedExcellentAdv/ateffectdecline

GreenDeviceAvailableAdvancedhighcelldensityTrenchtechnology

SuperLowGateCharge

ProductSummary

BVDSSRDSONID

30V9.5mΩ30A

TO-252PinConfiguration

第页共页

HFD30N03

N-Ch30VFastSwitchingMOSFETS

ElectricalCharacteristics

TJ25°C,unlessotherwisenoted

SymbolParameterTestConditionMin.Typ.Max.Units

OffCharacteristic

VDrain-SourceBreakdownVoltageV0V,I250μA30--V

(BR)DSSGSD

IDSSZeroGateVoltageDrainCurrentVDS30V,VGS0V,--1.0μA

IGSSGatetoBodyLeakageCurrentVDS0V,VGS±20V--±100nA

OnCharacteristics

VGateThresholdVoltageVV,I250μA1.01.52.5V

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公司经营范围包括科技推广、集成电路设计、半导体器件制造、电子元器件销售等。其核心产品HF6213是一款高PSRR、低噪声射频LDO稳压器，适用于无线通信模块和音频编解码器等场景。

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