无锡黑锋科技HFD20P06 P 60V MOS TO-252.pdfVIP

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2025-12-25 发布于广东
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无锡黑锋科技HFD20P06 P 60V MOS TO-252.pdf

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HFD20P06

P-Ch60VFastSwitchingMOSFETS

Description

TheHFD20P06isthehighcelldensitytrenchedP-chMOSFETs,whichprovideexcellent

RDSONandgatechargeformostofthesynchronousbuckconverterapplications.

TheHFD20P06meettheRoHSandGreenProductrequirement,100%EASguaranteedwith

fullfunctionreliabilityapproved.

Features

100%EASGuaranteedExcellentAdv/ateffectdecline

GreenDeviceAvailableAdvancedhighcelldensityTrenchtechnology

SuperLowGateCharge

ProductSummary

BVDSSRDSONID

-60V80mΩ-18A

TO-252PinConfiguration

第页共页

HFD20P06

P-Ch60VFastSwitchingMOSFETS

ElectricalCharacteristics

TJ25°C,unlessotherwisenoted

SymbolParameterConditionsMin.Typ.Max.Unit

Drain-SourceBreakdown

BVDSSVGS0V,ID-250uA-60V

Voltage

△BVDSS/△TJBVDSSTemperatureCoefficientReferenceto25℃,ID-1mA-0.023V/℃

StaticDrain-SourceVGS-10V,ID-10A8058

RDS(ON)2mΩ

On-ResistanceVGS-4.5V,ID-6A9767

VGS(th)GateThre

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公司经营范围包括科技推广、集成电路设计、半导体器件制造、电子元器件销售等。其核心产品HF6213是一款高PSRR、低噪声射频LDO稳压器，适用于无线通信模块和音频编解码器等场景。

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