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浮动催化剂化学气相沉积法：单一导电属性单壁碳纳米管宏量制备的关键突破

一、引言

1.1研究背景

单壁碳纳米管（Single-WalledCarbonNanotubes,SWCNTs）自被发现以来，因其独特的结构和优异的性能，在众多领域展现出了巨大的应用潜力，成为了材料科学领域的研究热点之一。单壁碳纳米管是由单层石墨烯卷曲而成的无缝纳米管，其直径通常在0.4-2nm之间，长度可达微米甚至毫米级，这种特殊的微观结构赋予了它许多卓越的物理性质。

从力学性能来看，单壁碳纳米管的碳原子间以C－C共价键结合，赋予其极高的轴向强度、韧性和弹性模量。研究表明，其杨氏模量可达1Tpa，约为钢的5倍，轴向强度约为钢的100倍，弹性应变最高可达12%，约为钢的60倍，这使得它在需要高强度和高韧性材料的应用中极具吸引力，如航空航天领域的轻量化结构材料、高性能复合材料的增强相。在电学性能方面，单壁碳纳米管的载流能力高达10?A/cm2，比导电良好的铜高出1000倍。其导电性可通过改变手性角和直径来调控，能呈现金属性或半导体性，这一特性使其在纳米电子学领域具有重要的应用价值，有望用于制造高性能的晶体管、集成电路、传感器等电子器件。在热学性能上，碳纳米管具有优异的轴向导热性能，理论计算其轴向热导率在6600W/m?K以上，单根单壁碳纳米管室温热导率接近3500W/m?K，远大于金刚石和石墨，使其在热管理材料方面具有潜在的应用前景，如电子器件的散热材料。此外，单壁碳纳米管在光学性能上也表现独特，其在近红外波段吸收光子并发出荧光的特性，经过修饰后可用于肿瘤区域光声成像和近红外加热，在生物医疗领域展现出了潜在的应用价值。

然而，要充分发挥单壁碳纳米管的这些优异性能，实现其大规模的实际应用，制备出具有单一导电属性的单壁碳纳米管是关键的前提条件。在实际应用中，不同的电子器件对单壁碳纳米管的导电属性有着特定的要求。例如，在构建高性能的场效应晶体管时，需要使用半导体性的单壁碳纳米管作为沟道材料，以确保器件具有良好的开关特性和电学性能；而在一些需要良好导电性的应用中，如透明导电电极，则更倾向于使用金属性的单壁碳纳米管。但通常情况下，现有的制备方法所得到的单壁碳纳米管往往是金属性和半导体性碳管的混合物，这极大地限制了其在某些高端应用领域的发展。因为金属性和半导体性单壁碳纳米管共存时，会导致电子传输特性的不一致，从而影响器件的性能稳定性和可靠性。例如，在基于单壁碳纳米管的集成电路中，金属性碳纳米管的存在可能会导致漏电等问题，降低器件的性能和成品率。

目前，制备单一导电属性单壁碳纳米管面临着诸多难点与挑战。从生长机制角度来看，金属性和半导体性单壁碳纳米管在结构和形成能上的差别很小，这使得在生长过程中难以精确控制其导电属性的选择性生长。现有的制备方法，如电弧放电法、激光蒸发法、化学气相沉积法（CVD）等，虽然能够实现单壁碳纳米管的制备，但在控制导电属性方面仍存在较大的困难。电弧放电法制备的产物中常混杂多壁碳纳米管和无定形碳，且难以分离出高纯度的单一导电属性单壁碳纳米管；激光蒸发法设备复杂、成本昂贵、产量低，不利于大规模制备，且在导电属性控制上也存在不足；化学气相沉积法虽易于大规模生产，但制备的碳纳米管直径分布宽、有金属催化剂残留，同时在实现单一导电属性生长方面也面临技术瓶颈。在分离和提纯方面，由于金属性和半导体性单壁碳纳米管的物理和化学性质较为相似，传统的分离方法，如离心分离、过滤、色谱分离等，难以高效地将它们分离，且在分离过程中容易对碳纳米管的结构和性能造成损伤。因此，开发一种高效、低成本且能够实现宏量制备单一导电属性单壁碳纳米管的方法具有重要的科学意义和实际应用价值。

1.2研究目的与意义

本研究旨在通过浮动催化剂化学气相沉积法，实现宏量制备单一导电属性单壁碳纳米管，攻克当前制备过程中面临的技术难题，为单壁碳纳米管在各领域的广泛应用奠定坚实的材料基础。

从科学研究的角度来看，深入探究浮动催化剂化学气相沉积法制备单一导电属性单壁碳纳米管的生长机制和影响因素，有助于丰富和完善碳纳米管的制备理论体系。通过系统研究催化剂的种类、浓度、粒径分布，碳源的种类、流量，反应温度、压力等因素对单壁碳纳米管导电属性和生长质量的影响规律，可以为优化制备工艺提供理论依据，进一步拓展和深化对碳纳米管材料科学的认识。这种对生长机制的深入理解，不仅有助于解决当前单壁碳纳米管制备中的关键问题，还可能为其他纳米材料的可控制备提供新的思路和方法，推动整个纳米材料科学领域的发展。

在实际应用方面，单一导电属性单壁碳纳米管的宏量制备将对多个领域产生深远的影响。在电子器件领域，半导体性单壁碳纳米管可作为高性能场效应晶体管的沟道材料，有望构建出5nm及以下先进制