碳化硅器件革新无线充电发射系统：关键模块的深度探索与实践.docxVIP

碳化硅器件革新无线充电发射系统：关键模块的深度探索与实践

一、引言

1.1研究背景与意义

在科技飞速发展的今天，无线充电技术作为一种新型的电能传输方式，正逐渐改变人们的生活和生产方式。从最初的概念提出到如今广泛应用于智能手机、电动汽车、智能家居等领域，无线充电技术凭借其便捷性、灵活性和美观性等优势，受到了消费者和产业界的广泛关注。

无线充电技术的发展现状呈现出蓬勃发展的态势。在消费电子领域，无线充电已成为智能手机的标准配置之一。StrategyAnalytics数据显示，2021年度，全球支持WPC-Qi标准的无线充电接收端设备的出货量达到5.15亿台，发射端设备的出货量达到1.97亿台，无线充电设备的整体出货量较2020年度增长近30%，预计到2025年，无线充电设备出货量的复合增长率将保持在24%以上。在电动汽车领域，无线充电技术也在不断取得突破。2021年北汽发布的极狐阿尔法S华为HI版搭载了7.5kW无线充电系统，是全球首款支持800V高压充电的产品；2023年，一汽集团在长春科技创新基地建设了国内首条百米级别的电动汽车动态无线充电示范道路，搭载了20kW以上功率等级的无线电能传输系统，这些都标志着电动汽车无线充电技术在产业化进程中迈出了重要步伐。

传统的无线充电发射系统多采用硅基器件，然而，随着无线充电技术向大功率、高效率、小型化方向发展，传统硅基器件的局限性日益凸显。硅基器件的开关频率较低，一般在50kHz以下，这限制了系统的功率密度和效率提升。在大功率应用场景下，硅基器件的导通电阻较大，开关损耗高，导致系统发热严重，需要庞大的散热系统，这不仅增加了系统成本和体积，还降低了系统的可靠性。此外，硅基器件在高温环境下的性能下降明显，难以满足一些特殊应用场景的需求。

碳化硅（SiC）器件作为一种新型的宽禁带半导体器件，为无线充电发射系统的发展带来了新的机遇。与传统硅基器件相比，SiC器件具有更高的热导率、更大的禁带宽度、更高的临界击穿场强以及更高的电子饱和漂移速度。这些优异的物理特性使得SiC器件能够在高温、高频、高功率的工作条件下稳定运行，且具有更低的导通电阻和开关损耗。在相同的功率输出条件下，采用SiCMOSFET的功率变换电路，其开关频率可以比硅基IGBT提高数倍，从而大大减小了磁性元件和电容的体积，实现了系统的小型化和轻量化。SiC器件的低导通电阻和低开关损耗特性，能够显著降低功率变换过程中的能量损耗，提高充电系统的整体效率，减少能源浪费。

研究基于碳化硅器件的无线充电发射系统关键模块具有重要的理论意义和实际应用价值。从理论层面来看，深入研究SiC器件在无线充电发射系统中的应用特性，有助于拓展宽禁带半导体器件在电力电子领域的理论研究，为相关技术的发展提供理论支持。从实际应用角度出发，采用SiC器件的无线充电发射系统能够有效提升系统性能，满足市场对高效、便捷、小型化无线充电设备的需求，推动无线充电技术在电动汽车、消费电子等领域的进一步普及和应用，具有广阔的市场前景和经济效益。

1.2国内外研究现状

在碳化硅器件应用于无线充电发射系统关键模块的研究方面，国内外均取得了一定的进展。

国外在碳化硅器件研发和应用研究方面起步较早，取得了众多领先成果。美国Cree公司作为碳化硅领域的先驱，一直致力于碳化硅材料生长、器件制备及应用技术的研究，开发出了多种高性能的碳化硅功率器件，如1200V、1700V的SiCMOSFET和SiC肖特基二极管（SiCSBD），并广泛应用于电动汽车、新能源发电、轨道交通等领域。德国英飞凌科技公司也在碳化硅器件研发方面投入大量资源，推出了一系列先进的碳化硅产品，其第六代SiCMPS二极管采用薄片、低势垒等先进技术，有效降低了导通电压，提高了导通电流密度，提升了产品在市场中的竞争力。日本罗姆半导体集团在碳化硅技术研发上同样成绩斐然，通过优化器件结构和工艺，实现了碳化硅器件性能的显著提升，其沟槽结构SiCMOSFET具有更低的比导通电阻，在高压、高频应用中表现出色。在无线充电发射系统方面，国外学者对基于碳化硅器件的功率变换电路、谐振网络等关键模块进行了深入研究。有研究通过优化SiCMOSFET的驱动电路和散热结构，提高了功率变换电路的效率和可靠性；还有研究针对不同的无线充电应用场景，设计了多种谐振网络拓扑结构，以提高系统的功率传输效率和稳定性。

国内对碳化硅器件的研究近年来也取得了长足进步。北京天科合达半导体股份有限公司在碳化硅衬底技术方面取得重要突破，实现了4-6英寸SiC衬底的大批量生产和销售，成为国际SiC导电晶圆的主要供应商之一，为国内碳化硅器件产业的