电子信息工程自考《光电子技术》考试试题及答案.docxVIP

电子信息工程自考《光电子技术》考试试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.半导体发光二极管（LED）的发光机制主要基于：

A.自发辐射B.受激辐射C.光电导效应D.光生伏特效应

答案：A

2.氦氖激光器中，氖原子的632.8nm激光跃迁属于：

A.三能级系统B.四能级系统C.二能级系统D.准三能级系统

答案：B

3.光纤的数值孔径（NA）定义为：

A.n?sinθ?B.√(n?2-n?2)C.(n?-n?)/n?D.λ/(2πΔn)

答案：B

4.下列光电探测器中，响应速度最快的是：

A.光伏型光电二极管B.光电导型探测器C.APD雪崩光电二极管D.光敏电阻

答案：C

5.电光调制器的工作原理基于：

A.克尔效应B.泡克尔斯效应C.塞曼效应D.斯塔克效应

答案：B

6.实现激光振荡的必要条件是：

A.粒子数反转+光学谐振腔B.泵浦源+增益介质C.阈值增益+相位匹配D.自发辐射+受激辐射

答案：A

7.半导体激光器（LD）的P-I特性曲线中，阈值电流Ith对应的是：

A.自发辐射占主导的起始点B.受激辐射与自发辐射相等的点C.受激辐射开始占主导的临界点D.光功率线性增长的终点

答案：C

8.光纤通信中，1550nm窗口的主要优势是：

A.色散最小B.损耗最小C.非线性效应最弱D.模式数量最多

答案：B

9.衡量光电探测器灵敏度的主要参数是：

A.量子效率B.响应度C.暗电流D.噪声等效功率（NEP）

答案：B

10.下列哪项不属于激光的基本特性：

A.高方向性B.高相干性C.高单色性D.高散射性

答案：D

二、填空题（每空1分，共20分）

1.光电子技术的核心是研究光与______的相互作用及其能量转换规律。

答案：电子

2.半导体中载流子复合发光的两种主要形式是______复合和______复合。

答案：辐射；非辐射

3.激光产生的三个基本条件是______、______和______。

答案：粒子数反转；光学谐振腔；阈值增益

4.光纤的损耗主要包括______损耗、______损耗和______损耗。

答案：吸收；散射；弯曲

5.电光调制器的半波电压Vπ是指当外加电压使相位差达到______时所需的电压值。

答案：π弧度

6.雪崩光电二极管（APD）的工作原理基于______效应，其增益系数M与______电压相关。

答案：雪崩倍增；反向偏置

7.衡量LED发光效率的两个关键参数是______效率和______效率。

答案：内量子；外量子

8.光纤的色散主要分为______色散、______色散和______色散。

答案：模式；材料；波导

9.半导体激光器的纵模间隔Δν由谐振腔长度L和______决定，公式为Δν=______。

答案：折射率n；c/(2nL)

三、简答题（每题8分，共40分）

1.简述粒子数反转的概念及其实现方法。

答案：粒子数反转是指在激活介质中，高能级粒子数密度N2大于低能级粒子数密度N1的非热平衡状态（2分）。实现方法：①选择合适的激活介质（具有亚稳态能级结构）（2分）；②采用泵浦源（如光泵、电注入、化学能等）提供能量，将低能级粒子激发到高能级（2分）；③确保高能级寿命足够长（亚稳态），使粒子积累形成反转（2分）。

2.比较半导体发光二极管（LED）与半导体激光器（LD）的异同点。

答案：相同点：均基于半导体PN结的电致发光原理；使用相似的半导体材料（如GaAs、InGaAsP）；输出光均为近红外或可见光（2分）。不同点：①发光机制：LED为自发辐射（非相干光），LD为受激辐射（相干光）（2分）；②光谱特性：LED谱宽窄（几十nm），LD谱宽极窄（0.1nm）（2分）；③输出功率：LED功率低（mW级），LD功率高（数百mW）（1分）；④应用场景：LED用于照明、显示，LD用于光纤通信、激光加工（1分）。

3.说明光纤数值孔径（NA）的物理意义及其对光纤性能的影响。

答案：物理意义：NA=√(n?2-n?2)≈n?√(2Δ)（Δ为相对折射率差），表示光纤捕获光的能力，即最大入射角θ?满足sinθ?=NA（2分）。影响：①NA越大，光纤接收光的能力越强（易耦合），但模式色散越严重（多模光纤）（3分）；②NA越小，模式色散越小（适合单模光纤），但耦合难度增加（3分）。

4.分析光电导探测器与光伏型探测器的工作原理及性能差异。

答案：光电导探测器：基于光电导效应（光照下半导体电导率增加），无外加偏压时需外接电源形成电流（2分）；响应速度较慢（载流子寿命限制），灵敏度较高（2分）。光伏型探测器：基于光生伏特效应（