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探寻VDMOS雪崩能量优化策略：理论、方法与实践

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子技术飞速发展的背景下，电子设备的性能与可靠性愈发受到关注。垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOS）作为一种关键的功率半导体器件，凭借其高输入阻抗、低导通电阻、开关速度快以及优异的热稳定性等突出优点，在众多领域得到了广泛应用。

在电子设备领域，VDMOS在LED照明系统中用于电路变换和放大，确保LED灯能够稳定、高效地发光；在液晶电视等显示设备中，VDMOS用于背光系统的电路控制，提升画面的亮度和均匀性；在电池充电电路中，VDMOS作为开关管，负责控制和调节充电电流，确保电池能