2.3.1-单向凝固技术.pptVIP

单向凝固技术

定向生长晶体工艺

用于制备单晶、柱状晶和自生复合材料

重要工艺参数：

凝固过程中固－液界面前沿液相中的温度梯度GL

固—液界面向前推进速度，即晶体生长速率R。;控制晶体长大形态的重要判据--GL/R

在提高GL的条件下，增加R，才能获得所要求的晶体形态，细化组织，改善质量，并且提高单相凝固铸件生产率。

单相凝固技术和装置关键技术之一

提高固—液界面前沿的温度梯度GL。

目前，GL已经从10~15℃/cm增加到100~300℃/cm，工业生产中已达到30~80℃/cm。;1.单向凝固的工艺参数;图2.35坩埚下降单向凝固法生长装置和温度分布

a）装置示意图b）温度分布图;

;

设λS、λL为常数，则在凝固速率一定时，GL和GS成正比。

通过增大GS来增强固相的散热强度，这是实际应用中获得大的GL的重要途径。同时，也会使凝固速率R增大。

因此，常用提高固—液界面前沿熔体的温度来达到提高GL的目的。;GL大时有利于抑制成分过冷，从而提高晶体的质量。

但并非GL越大越好，特别是制备单晶时，熔体温度过高，会导致液相剧烈挥发、分解和受到污染，从而影响晶体的质量。

固相温度梯度GS过大，会使生长着的晶体产生大的内应力，甚至使晶体开裂。;2.单向凝固的方法

1）发热剂法

绝热耐火材料箱中，底部水冷结晶器型壳上部盖以发热剂，金属液处于高温，建立自下而上的凝固条件。

无法调节凝固速率和温度梯度，只能制备小的柱状晶铸件，多用于磁钢生产。

;凝固速率R

采用功率降低法时，单向凝固的铸件在凝固时所释放的热量只靠水冷结晶器导出；随着凝固界面的推移，结晶器的冷却效果越来越小，温度梯度也逐渐减小，因而凝固速率不断减缓。

快速凝固法的凝固速率实际上取决于铸型或炉体的移动速率。通常将固—液界面稳定在辐射板附近，使之达到一定的GL/R值，保证晶体稳定生长。利用这种方法可使铸件在拉出初期，热量主要靠传导传热，通过结晶器导出。随着铸件不断拉出，铸件向周围辐射传热逐渐增加。

;显然，采用快速凝固法时，GL受铸件拉出速度、热辐射条件和铸件径向尺寸的影响。

在稳定态生长条件下，铸件拉出的临界速率υct主要受铸件辐射传热特性的影响，其关系式如下：设GL=0为临界条件，则

在小于临界拉出速率时，凝固速率R与拉出速率υ基本一致，固—液界面稳定在辐射挡板附近。;4）液态金属冷却法（L.M.C法）

工艺过程与H.R.S法相同

当合金液浇入型壳后，按选择的速度将壳型拉出炉体，浸入金属浴，金属浴的水平面保持在凝固的固—液界面近处，并使其保持一定温度范围内。;液态金属冷却剂要求：

①熔点低，有良好的热学性能；

②不溶于合金中；

③高真空条件下蒸气压低；

④价格便宜。

锡液---熔点232℃，沸点2267℃，理想的热学性能；GL可达200℃/cm。但对高温合金是有害元素，易污染合金

镓铟合金、镓铟锡合金--价格过于昂贵

L.M.C法设备复杂，操作麻烦，在工业上未广泛应用。