电子封装工艺仿真:键合工艺仿真_(11).键合工艺仿真案例分析.docxVIP

电子封装工艺仿真:键合工艺仿真_(11).键合工艺仿真案例分析.docx

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键合工艺仿真案例分析

在上一节中,我们已经介绍了键合工艺的基本原理和常见的键合技术。本节将通过具体的案例分析,深入探讨键合工艺仿真在实际应用中的具体步骤和方法。我们将使用行业标准的仿真软件,如ANSYS、COMSOL和CoventorWare,来展示如何进行键合工艺的仿真分析。通过这些案例,读者可以更好地理解键合工艺仿真中的关键参数和仿真流程。

案例一:引线键合工艺仿真

1.引线键合工艺概述

引线键合是电子封装中最常见的键合技术之一,主要用于将芯片上的焊盘与封装基板上的引脚连接。常见的引线键合材料包括金线、铝线和铜线。引线键合的主要步骤包括焊接、拉线和剪线。在仿真过程中,我们需要关注的主要参数包括引线材料的物理特性、焊接温度、键合压力、键合时间等。

2.仿真软件选择

对于引线键合工艺的仿真,我们选择使用ANSYS仿真软件。ANSYS是一个功能强大的多物理场仿真软件,可以用于分析引线键合过程中的力学、热学和电学特性。

3.仿真模型建立

3.1几何模型

首先,我们需要建立引线键合的几何模型。模型包括芯片、引线和基板。芯片和基板的尺寸可以根据具体的设计要求来确定,引线的长度和直径则需要根据引线材料和键合工艺来选择。

#引入ANSYS的几何建模模块

fromansys.mapdl.coreimportlaunch_mapdl

#启动ANSYS

mapdl=launch_mapdl()

#定义芯片和基板的尺寸

chip_length=10e-3#芯片长度,单位:米

chip_width=10e-3#芯片宽度,单位:米

chip_thickness=0.1e-3#芯片厚度,单位:米

substrate_length=20e-3#基板长度,单位:米

substrate_width=20e-3#基板宽度,单位:米

substrate_thickness=0.5e-3#基板厚度,单位:米

#创建芯片

mapdl.k(1,0,0,0)

mapdl.k(2,chip_length,0,0)

mapdl.k(3,chip_length,chip_width,0)

mapdl.k(4,0,chip_width,0)

mapdl.k(5,0,0,chip_thickness)

mapdl.k(6,chip_length,0,chip_thickness)

mapdl.k(7,chip_length,chip_width,chip_thickness)

mapdl.k(8,0,chip_width,chip_thickness)

mapdl.l(1,2)

mapdl.l(2,3)

mapdl.l(3,4)

mapdl.l(4,1)

mapdl.l(5,6)

mapdl.l(6,7)

mapdl.l(7,8)

mapdl.l(8,5)

mapdl.l(1,5)

mapdl.l(2,6)

mapdl.l(3,7)

mapdl.l(4,8)

mapdl.a(1,2,3,4)

mapdl.a(5,6,7,8)

mapdl.a(1,5,6,2)

mapdl.a(2,6,7,3)

mapdl.a(3,7,8,4)

mapdl.a(4,8,5,1)

#创建基板

mapdl.k(9,0,0,0)

mapdl.k(10,substrate_length,0,0)

mapdl.k(11,substrate_length,substrate_width,0)

mapdl.k(12,0,substrate_width,0)

mapdl.k(13,0,0,substrate_thickness)

mapdl.k(14,substrate_length,0,substrate_thickness)

mapdl.k(15,substrate_length,substrate_width,substrate_thickness)

mapdl.k(16,0,substrate_width,substrate_thickness)

mapdl.l(9,10)

mapdl.l(10,11)

mapdl.l(11,12)

mapdl.l(12,9)

mapdl.l(13,14)

mapdl.l(14,15)

mapdl.l(15,16)

mapdl.l(16,13)

mapdl.l(9,13)

mapdl.l(10,14)

mapdl.l(11,15)

mapdl.l(12,1

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