《GB_T 26074-2010锗单晶电阻率直流四探针测量方法》专题研究报告.pptx

;目录;;标准出台的行业背景：为何急需统一锗单晶电阻率测量方法？;;（三）未来适配性分析：能否应对下一代锗单晶材料的测量需求？;

二、从原理到公式：深度剖析直流四探针测量的底层逻辑，为何能规避接触电阻的致命干扰？;核心原理：四探针结构的“分工协作”逻辑;（二）电阻率公式推导：为何引入探针系数L？;;;范围设定的科学依据：并非随意划定的“数字区间”;（二）分场景适配：不同应用对应的电阻率区间与测量重点;（三）范围拓展可能性：未来能否覆盖更宽电阻率区间？;;块状试样：为何要求厚度与边缘距离＞4倍探针间距？;（二）圆片试样：直径＞10倍、厚度＜4