基于CFD的等离子体刻蚀数值模拟与多参数协同优化研究.docx

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2025-12-26 发布于上海
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基于CFD的等离子体刻蚀数值模拟与多参数协同优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体制造领域，等离子体刻蚀是一项至关重要的技术，其对于实现芯片的高精度制造起着关键作用。随着半导体器件朝着更小尺寸、更高性能的方向发展，对刻蚀工艺的精度、均匀性和选择性提出了愈发严苛的要求。

在早期的半导体制造中，湿法刻蚀曾被广泛应用，它是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术，具有优良的选择性，刻蚀完当前薄膜就会停止，而不会损坏下面一层其他材料的薄膜。但由于其各向同性的特性，在图形转移过程中，上层光刻胶的图案与下层材料上被刻蚀出的图案会存在一定偏差，难以满足日益减小的特征尺寸要求。自20世纪六十