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高功率微波辐照下MOS器件效应及作用机制探究
一、引言
1.1研究背景与意义
在现代电子领域中，金属-氧化物-半导体（MOS）器件凭借其独特的优势，如高输入阻抗、低噪声、易于集成等，成为了构建各类电子系统的核心部件。从日常使用的智能手机、平板电脑，到复杂的卫星通信系统、高性能计算机，MOS器件无处不在，承担着信号处理、数据存储与传输等关键任务，对电子设备的性能和功能起着决定性作用。
然而，随着电子设备应用场景的日益广泛和复杂，它们不可避免地会面临各种辐射环境，其中高功率微波（HPM）辐照是一种极具挑战性的因素。HPM具有高功率、宽频带、短脉冲等特点，能够在瞬间释放出巨大的能量。当
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