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BTO铁电薄膜的H+和Kr2+辐照模拟研究 (2).docx

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    题目：BTO铁电薄膜的H+和Kr2+辐照模拟研究

    论文题目：BTO铁电薄膜的H+和Kr2+辐照模拟研究

    内容提要

    本文首先介绍了铁电材料和辐射环境。其次，基于蒙特卡罗方法采用SRIM软件，模拟不同能量、通量、入射角的质子、氪离子等粒子辐照产生的氧缺陷浓度随入射深度的变化情况。最后，分析了辐照粒子的种类、能量、通量、入射角等与其诱导铁电材料中产生缺陷的浓度和分布等特性的关联。结果表明：

    （1）在控制入射粒子与入射角度不变时，随着入射能量的增大，入射离子在靶材内部的终止位置会随着入射能量的加大而逐渐向其内部深处延伸

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