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应用探索

失效分析技术在ＰＯＷＥＲＭＯＳ功率器件缺陷点定位中的应用

张涛

【摘要】在ＰＯＷＥＲＭＯＳ功率器件的失效分析过程中ꎬ由于其特殊的垂直晶体管构造ꎬ导致正面与背面均生长了微米级

的金属层ꎬ这对于失效分析过程中的电性故障分析(ＥｌｅｃｔｒｉｃａｌＦａｕｌｔＡｎａｌｙｓｉｓꎬＥＦＡ)电性缺陷点定位造成极大困难ꎮ传统的液晶

定位技术、正面发光显微镜(ＰｈｏｔｏｎＥｍｉｓｓｉｏｎＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅꎬＰＥＭ)探测技术、背面去除金属层后的微光显微镜(Ｅｍｉｓｓｉｏｎ

ＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅꎬＥＭＭＩ)探测等技术手段均无法有效进行精准缺陷点定位ꎬ导致后续也无法进行有效的物理特性分析(Ｐｈｙｓｉｃａｌ

ＦｅａｔｕｒｅＡｎａｌｙｓｉｓꎬＰＦＡ)验证ꎮ文章介绍了一种新的适合于ＰＯＷＥＲＭＯＳ功率器件的新型缺陷点定位技术ꎬ主要使用化学剥层技

术ꎬ结合探针使用点软针加电方式ꎬ使用ＥＭＭＩ/光诱导电阻变化(ＯｐｔｉｃａｌＢｅａｍＩｎｄｕｃｅｄＲｅｓｉｓｔａｎｃｅＣｈａｎｇｅꎬＯＢＲＩＣＨ)精确ＥＦＡ

定位工具ꎬ精准找到ＥＦＡ电性缺陷点位置ꎮ之后再使用ＰＦＡ工具ꎬ精准找到物理失效点证据ꎬ查明根本原因ꎬ从而为找到

ＰＯＷＥＲＭＯＳ功率器件失效原因提供依据ꎮ

【关键词】ＰＯＷＥＲＭＯＳ功率器件ꎻ失效分析ꎻＥＦＡ电性缺陷点定位ꎻＰＦＡ物性验证ꎻＥＭＭＩ/ＯＢＲＩＣＨꎻ化学剥层技术

引言之前业界有同仁使用传统的液晶(ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌꎬＬＣ)技

随着集成电路产业的不断发展ꎬ针对器件异常的失效分术ꎬ即借助异常缺陷点漏电所导致的热能来改变涂布在其上

析技术显得越来越重要ꎬ在常规的集成电路失效分析中ꎬ一般的ＬＣ晶向排列原理ꎬ来进行Ｈｏｔｓｐｏｔ缺陷点的ＥＦＡ定位ꎮ

先使用ＥＦＡ手段进行缺陷点定位ꎬ然后使用ＰＦＡ手段进行物但是该方法效果不佳ꎬ由于液晶定位中的Ｈｏｔｓｐｏｔ热区面积

性验证ꎮ过大ꎬ一个热区可以涵盖上百个Ｔｒｅｎｃｈ(沟槽)、ＣＴ(接触)单

ＰＯＷＥＲＭＯＳ功率器件拥有较为特殊的垂直方向的晶体元ꎬ无法精准定位ꎮ

管构造ꎬ芯片的表面生长了４μｍ以上的金属层ꎬ背面作为背业界也有同仁指出ꎬ可以去除功率器件的背面金属层后ꎬ

电极ꎬ也生长了超过１~３μｍ的金属层ꎮ当ＰＯＷＥＲＭＯＳ功再利用背面ＥＭＭＩ/ＯＢＲＩＣＨ的技术方案解决该问题ꎮ这是利

率器件功能失效后ꎬ在进行针对功率器件的失效分析过程中ꎬ用了波长在近红外或中红外的电子空穴对复合光子相对衬底

这种较为特殊的器件构造会使精准的ＥＦＡ缺陷点电性定位硅来说穿透性好ꎬ异常电子空穴对复合光子可以透过衬底被

工作异常困难ꎮＥＭＭＩ探测器捕捉ꎬ使得背面电性缺陷点定位成为可能ꎮ但

为了解决ＰＯＷＥＲＭＯＳ的缺陷点定位问题ꎬ文章向半导是ꎬ如果进行电性模拟时ꎬ背面的Ｄｒａｉｎ(漏极)也需要加电ꎬ

体同仁提出了新的适合ＰＯＷＥＲＭＯＳ缺陷点定位的技术方案若把背面金属层去除ꎬ会使电性无法被模拟ꎬ致使该方案的实

和失效分析思路ꎮ施受到局限ꎮ

为了解决ＰＯＷＥＲＭＯＳ的缺陷点定位问题ꎬ文章介绍了

一、背景技术这套利用化学腐蚀剥层技术结合探针使用点软针的加电方

ＰＯＷＥＲＭＯＳ功率器件拥有特殊的垂直方向晶体管构造式ꎬ使用ＥＭＭＩ/ＯＢＲＩＣＨ精确定位手段ꎬ再使用ＰＦＡ工具ꎬ可

(如图１)ꎬ导致芯片正面生长了４μｍ金属层ꎬ通常为金属铝以精准找到物理失效点证据ꎬ查明根本原因ꎬ为半导体同仁提

层ꎮ因为使用背面为背电极ꎬ背面也生长了１~３μｍ的金属出了新的适合ＰＯＷＥＲＭＯＳ失效点定位的技术方案和失效分

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层ꎬ为