磁控溅射铜及铜合金薄膜微观结构与性能：铜互连技术的基石探究.docxVIP

磁控溅射铜及铜合金薄膜微观结构与性能：铜互连技术的基石探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今数字化时代，集成电路作为现代电子设备的核心部件，其性能的提升对于推动信息技术的发展起着至关重要的作用。随着科技的飞速进步，人们对集成电路的性能要求日益提高，其中金属互连线作为集成电路中连接各个元件的关键部分，其性能直接影响着集成电路的整体性能。

早期，集成电路选用金作为互联材料，金凭借卓越的导电性（仅次于银）、化学稳定性及与半导体材料的良好兼容性，成为行业首选。但高昂的成本使其难以满足大规模商业化生产需求。随后，从20世纪60年代至90年代中期，铝凭借低成本、易加工的优势登上历史舞台。其良好的刻蚀性能（适用于干刻蚀与湿刻蚀工艺），使其成为当时IC制造的理想选择，在半导体行业占据主导地位长达30余年。然而，随着集成电路器件尺寸不断缩小，集成度不断提高，铝互连逐渐暴露出一些严重的问题。其中，最为突出的是电迁移现象，铝原子的外层电子较少且结合力较弱，在电流产生的电子流冲击下，铝原子容易脱离晶格位置，当电子流经铝导线时，电子与铝原子碰撞传递动量，使铝原子顺着电子流方向移动。再加上铝的面心立方晶体结构存在较多的原子扩散通道，为铝原子的迁移提供了便利路径，使得铝原子能够在导线内部移动，造成导线的断裂或空洞。集成电路工作产生的热量会加剧铝原子的热运动，使其更容易挣脱晶格束缚，同时高温还会改变铝表面氧化膜结构，降低对电迁移的抑制作用。芯片集成度提高使铝导线尺寸缩小，相同电流下电流密度增大，高电流密度区域产生更强的电子风力，也会加剧电迁移现象。此外，铝的电阻率相对较高，随着互连线长度的增加和线宽的减小，电阻、电容、电感引起的寄生效应越来越显著，互连RC延迟成为限制整体信号传播延迟的重要原因，严重影响了集成电路的性能和运行速度。

为了解决铝互连存在的问题，铜互连技术应运而生。1997年，IBM发布先进铜互连技术，标志着铜开始逐步取代铝，成为高性能集成电路的核心互连材料，开启了半导体互连材料的新篇章。铜具有更低的电阻率，其电阻率仅为铝的60%（1.68μΩ?cmvs2.82μΩ?cm），能大幅降低信号延迟，提升芯片运行速度。同时，铜具有较高的电迁移抗性，原子之间的金属键结合力较强，相比铝原子，更不容易在电子流的冲击下脱离晶格位置。在电流通过铜导线时，电子与铜原子碰撞传递的动量较难使铜原子发生移动，从而有效抑制电迁移现象。并且铜原子在晶格中扩散所需的激活能较高，在集成电路正常工作的温度和电流条件下，铜原子获得足够能量发生扩散迁移的概率较低，保证了铜互连结构的稳定性。此外，铜在空气中会形成一层致密的氧化膜，这层氧化膜能够阻挡外部环境对铜原子的影响，同时也在一定程度上限制了铜原子的迁移。与铝的氧化膜相比，铜的氧化膜结构更加稳定，对电迁移的防护效果更好。在制造工艺方面，双大马士革工艺通过“先刻蚀沟槽后电镀填充”的方式，解决了铜难以刻蚀的难题，同时简化了制造流程。这种工艺允许在半导体芯片上精确地嵌入铜线，通过在绝缘层中刻蚀出线条或通孔，再填充铜，最后进行平坦化处理，使得铜互连具有更好的结构完整性和更少的缺陷。而且铜互连线的线宽更窄，每一层允许有更高的集成密度，意味着芯片上总的金属层数减少，制造成本明显下降。

在铜互连技术中，溅射铜和铜合金薄膜作为关键材料，其微观结构与性能对铜互连的质量和性能有着决定性的影响。溅射法由于其沉积速率快、阻尼率低、重复性和稳定性高等优点，成为制备铜薄膜的常用方法。薄膜的微观结构，如晶粒尺寸、晶界特性、择优取向等，会直接影响其电学性能、力学性能、抗电迁移性能等。例如，较小的晶粒尺寸通常会导致较高的电阻率，因为晶界会对电子的传输产生散射作用；而择优取向则可能影响薄膜的力学性能和抗电迁移性能。因此，深入研究溅射铜和铜合金薄膜的微观结构与性能，对于优化铜互连技术、提高集成电路的性能和可靠性具有重要的意义。它不仅有助于解决当前集成电路发展中面临的技术挑战，还能为未来集成电路的进一步发展奠定坚实的基础，推动整个电子信息产业朝着更高性能、更低功耗、更小尺寸的方向发展。

1.2国内外研究现状

国内外众多学者和研究机构对溅射铜和铜合金薄膜的微观结构与性能展开了广泛而深入的研究，并取得了一系列重要成果。

在国外，一些研究聚焦于溅射工艺参数对铜薄膜微观结构和性能的影响。有研究采用直流磁控溅射法在不同溅射功率和工作气压条件下沉积Cu薄膜，发现随溅射功率的增大，Cu薄膜的沉积速率增加、晶粒尺寸增大、Cu（111）晶面择优取向特性变差，且电阻率降低；随溅射工作气压增大，Cu薄膜的沉积速率降低、晶粒尺寸减小、Cu（111）晶面择优取向越明显，且电阻率增加。还有研究通过直流脉冲磁控溅射法制备铜膜，系统研究了溅射