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光刻技术的发展趋势与挑战

光刻技术是半导体制造中最关键的工艺之一，它通过将电路图案转移到硅片上，实现微电子器件的精确制造。随着集成电路的尺寸不断缩小，光刻技术面临着前所未有的挑战和机遇。本节将探讨光刻技术的发展趋势以及当前和未来可能面临的挑战。

1.光刻技术的发展历程

光刻技术的发展可以追溯到20世纪60年代，随着半导体产业的兴起，光刻技术经历了多个重要的发展阶段：

接触式光刻：早期的光刻技术采用接触式光刻，即掩膜直接与硅片接触，通过紫外光照射将图案转移到硅片上。这种方法简单但分辨率低，容易受到掩膜和硅片表面不平整的影响。

接近式光刻：接近式光刻通过将