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2025年传感器与检测技术期末试卷附答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.以下哪项不属于传感器静态特性指标？

A.线性度B.灵敏度C.固有频率D.重复性

答案：C

2.某应变片的电阻变化率ΔR/R与应变ε的比值为2.1，该参数称为：

A.泊松比B.灵敏度系数C.弹性模量D.电阻率温度系数

答案：B

3.电感式传感器中，能够实现非接触测量的是：

A.变气隙式自感传感器B.变面积式自感传感器C.电涡流式传感器D.差动变压器式传感器

答案：C

4.光电效应中，入射光使半导体材料的电阻率发生变化的现象属于：

A.外光电效应B.内光电效应C.光生伏特效应D.光电导效应

答案：D

5.热电偶测温时，若冷端温度为25℃，仪表显示热电势对应500℃的热电势值，则实际被测温度为（已知500℃时热电势为20.64mV，25℃时为1.02mV）：

A.525℃B.500℃C.475℃D.需查分度表修正

答案：D（注：实际温度需通过分度表查得热电势为20.64mV+1.02mV对应的温度）

6.霍尔传感器的输出电压与以下哪项无关？

A.激励电流B.磁感应强度C.载流子浓度D.传感器尺寸

答案：D（霍尔电压公式：UH=KHIB，KH与载流子浓度等有关，与尺寸无直接关系）

7.为抑制共模干扰，检测系统中常用的措施是：

A.单点接地B.差分放大C.屏蔽线D.低通滤波

答案：B

8.某电容式位移传感器的极板面积S=100mm2，初始间距d0=0.1mm，介电常数ε=8.85×10?12F/m，其初始电容值约为：

A.8.85pFB.88.5pFC.885pFD.8.85nF

答案：A（公式C=εS/d，计算得8.85×10?12×100×10??/0.1×10?3=8.85×10?12F=8.85pF）

9.以下哪种传感器适合测量微小振动（频率1kHz）？

A.压电式加速度传感器B.电阻应变式力传感器C.电感式位移传感器D.热电偶

答案：A

10.检测系统中，AD转换的主要目的是：

A.将模拟信号放大B.将数字信号转换为模拟信号C.将模拟信号转换为数字信号D.滤除高频噪声

答案：C

二、填空题（每空1分，共15分）

1.传感器一般由________、________和转换电路三部分组成。

答案：敏感元件；转换元件

2.衡量传感器动态特性的主要指标有________、________和相位误差。

答案：时间常数；固有频率（或上升时间、频带宽度等）

3.应变片的温度误差可通过________补偿法或________补偿法减小。

答案：电桥；温度自补偿

4.差动变压器式传感器属于________电感式传感器，其输出电压与铁芯位移成________关系。

答案：互感；近似线性

5.光电传感器的核心元件是________，其工作原理基于________效应。

答案：光电器件；光电

6.热电偶的热电势由________电势和________电势两部分组成。

答案：接触；温差

7.检测系统的误差按性质可分为________误差、________误差和粗大误差。

答案：系统；随机

8.电容式传感器的三种基本类型是________、________和变介电常数式。

答案：变面积式；变极距式

三、简答题（每题6分，共30分）

1.简述金属应变片与半导体应变片的工作原理及主要区别。

答案：金属应变片基于金属电阻的应变效应（ΔR/R≈(1+2μ)ε），利用金属丝或箔的几何形变引起电阻变化；半导体应变片基于压阻效应（ΔR/R≈πEε），利用半导体材料的电阻率随应力变化。主要区别：金属应变片灵敏度系数低（约2）、线性好、温度稳定性高；半导体应变片灵敏度系数高（约100~200）、线性差、温度误差大。

2.电感式传感器为何常采用差动结构？列举两种差动电感式传感器的类型。

答案：采用差动结构可提高灵敏度（约2倍）、减小非线性误差（抵消二次项）、抑制温度等共模干扰。常见类型：差动变气隙式自感传感器、差动变压器式传感器（互感式）。

3.光电传感器由哪几部分组成？各部分的作用是什么？

答案：组成：光源、光学通路、光电器件、测量电路。作用：光源提供光信号；光学通路（如透镜、反射镜）引导光传播；光电器件将光信号转换为电信号（如光电二极管将光强转电流）；测量电路对电信号放大、处理（如滤波、AD转换）。