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低介电常数介质膜在器件封装中的影响与工艺优化策略研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今数字化时代，集成电路作为现代电子设备的核心组成部分，其性能的提升对于推动电子信息技术的发展起着至关重要的作用。随着科技的飞速进步，人们对集成电路的性能要求不断提高，如更高的运行速度、更低的功耗、更小的尺寸以及更高的集成度等。为了满足这些需求，集成电路产业不断寻求技术突破，其中低介电常数介质膜的应用成为了关键的发展方向之一。

随着集成电路特征尺寸的不断缩小，金属互连层间的电阻-电容（RC）延迟问题日益严重，这成为制约集成电路性能进一步提升的主要瓶颈。传统的二氧化硅（SiO?）介质由于其介电常数较高（