电路仿真：线性电路分析_（22）.高级电路分析技术.docxVIP

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高级电路分析技术

1.非理想元件模型

1.1电阻的非理想模型

在实际应用中，电阻并非完全理想的元件。非理想电阻模型考虑了寄生效应，如温度依赖性和非线性特性。这些模型有助于更准确地预测电路在不同条件下的行为。

1.1.1温度依赖性

电阻的温度依赖性可以通过电阻的温度系数来描述。温度系数定义为电阻值随温度变化的百分比。数学上，可以表示为：

R

其中：-RT是在温度T时的电阻值。-R0是参考温度T0时的电阻值。-

1.1.2非线性特性

某些电阻在大电流或高电压下表现出非线性特性。这种特性可以通过一个非线性电阻模型来描述，例如：

R

其中：-R是电阻值。-R0是初始电阻值。-k是非线性系数。-I

1.2电感的非理想模型

电感在实际电路中也会受到非理想因素的影响，如寄生电阻和铁芯损耗。这些因素会影响电感的性能，特别是在高频电路中。

1.2.1寄生电阻

寄生电阻是电感线圈导线的电阻，它会增加电感的损耗。寄生电阻可以通过以下公式表示：

L

其中：-L是总电感值。-L0是理想电感值。-Rpar

1.2.2铁芯损耗

铁芯损耗是由于铁芯中的磁滞和涡流效应引起的。这些损耗可以通过等效的电阻来表示。在高频情况下，铁芯损耗尤为重要。铁芯损耗可以通过以下公式表示：

R

其中：-Rcore是铁芯损耗等效电阻。-Ploss是铁芯损耗功率。-I

1.3电容的非理想模型

电容在实际应用中也会受到非理想因素的影响，如寄生电感和介质损耗。这些因素会影响电容的性能，特别是在高频和高电压电路中。

1.3.1寄生电感

寄生电感是由于电容引线和封装引起的。寄生电感在高频电路中会显著影响电容的性能。寄生电感可以通过以下公式表示：

C

其中：-C是总电容值。-C0是理想电容值。-Lpar

1.3.2介质损耗

介质损耗是由于电容介质材料的非理想特性引起的。介质损耗可以通过等效的串联电阻（ESR）和等效的并联电阻（ERP）来表示。介质损耗可以通过以下公式表示：

E

其中：-ESR是等效串联电阻。-ω是角频率。-C是电容值。-tan

1.4二极管的非理想模型

二极管在实际应用中也会受到非理想因素的影响，如反向漏电流和非线性电压-电流关系。这些因素会影响二极管的性能，特别是在高精度和高频电路中。

1.4.1反向漏电流

反向漏电流是二极管在反向偏置时的电流，它通常很小但不可忽略。反向漏电流可以通过以下公式表示：

I

其中：-Ireverse是反向漏电流。-IS是反向饱和电流。-Vreverse是反向电压。-n是理想因子。-

1.4.2非线性电压-电流关系

二极管的正向电压-电流关系通常是非线性的，可以用肖克利二极管方程来描述：

I

其中：-I是正向电流。-IS是反向饱和电流。-Vforward是正向电压。-n是理想因子。-V

1.5晶体管的非理想模型

晶体管在实际应用中也受到非理想因素的影响，如阈值电压漂移、漏极电流泄露和非线性增益。这些因素会影响晶体管的性能，特别是在高精度和高频电路中。

1.5.1阈值电压漂移

阈值电压漂移是指晶体管的阈值电压随着温度和工艺参数的变化而变化。阈值电压漂移可以通过以下公式表示：

V

其中：-VthT是在温度T时的阈值电压。-Vth0是参考温度T0时的阈值电压。-

1.5.2漏极电流泄露

漏极电流泄露是指在晶体管截止时，漏极和源极之间仍然存在少量电流。漏极电流泄露可以通过以下公式表示：

I

其中：-ID-off是漏极电流泄露。-IS是反向饱和电流。-VGS是栅源电压。-n是理想因子。-

1.5.3非线性增益

晶体管的增益在大信号情况下通常是非线性的。这种非线性可以通过小信号和大信号模型来描述。小信号模型通常用于高频和线性放大器设计，而大信号模型用于功率放大器和开关应用。

1.6非理想模型的仿真

在电路仿真中，非理想模型的准确性至关重要。使用Spice仿真软件可以方便地仿真这些非理想模型。

1.6.1Spice仿真示例

以下是一个使用Spice仿真软件的示例，展示如何仿真一个具有温度依赖性的电阻。

*仿真具有温度依赖性的电阻

*定义电阻参数

.modelR1RESR0=1000alpha=0.005T0=25

*定义电路

V110DC5

R110R=1000TEMP=35

*运行仿真

.dcV10100.1

.printdcV(1)I(R1)

.end

1.7非理想模型的验证

验证非理想模型的准确性