精细ZnO半导体变阻器：制备工艺与性能关联的深度剖析.docx

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2025-12-30 发布于上海
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精细ZnO半导体变阻器：制备工艺与性能关联的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的时代，电子设备与电力系统的稳定运行至关重要，而ZnO半导体变阻器作为其中的关键元件，发挥着不可替代的作用。

从电子设备领域来看，随着5G通信技术的普及、物联网的兴起以及人工智能的快速发展，各类电子设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，不仅在功能上不断丰富和强大，而且对其稳定性、可靠性和小型化提出了更高要求。ZnO半导体变阻器凭借其独特的非线性伏安特性，能够在电路中有效抑制过电压和浪涌电流，保护电子设备的核心部件免受瞬间高压的损害，确保电子设备在复杂的电磁环境中稳定运行。例如在