第6章3场效应管-《电路与模拟电子技术原理》.pptVIP

电路与模拟电子技术

原理第六章半导体元器件12/30/20251

第6章半导体元器件6.1从电子管到晶体管6.2半导体6.3半导体二极管6.4晶体管6.5场效应晶体管12/30/20252

6.5场效应晶体管场效应晶体管（FET）是利用电场效应来控制半导体中电流的半导体器件。起控制作用的电极称为栅极→基极；漏极→集电极源极→发射极。改变施加在场效应管栅极上的电压，就可以控制漏极和源极之间的电流，所以场效应管是一种电压控制型器件；与之对比，晶体管通常被看做电流控制型器件，用基极电流控制集电极电流。12/30/20253

6.5场效应晶体管场效应管比晶体管噪声更低、热稳定性更好、抗辐射能力更强、输入阻抗很高。6.5.1结型场效应管6.5.2绝缘栅型场效应管6.5.3场效应管的特性6.5.4场效应管的应用12/30/20254

1．结型场效应管的基本结构场效应管电路符号中箭头的方向与晶体管电路符号中箭头一样，都是从P区指向N区12/30/20256

2．结型场效应管的工作原理场效应管是依靠多子导电的（晶体管的电流放大作用是依靠少子导电实现的）使用多子导电的场效应管比使用少子导电的晶体管更加稳定。场效应管为单极型（Unipolar）器件。晶体管内部的既有空穴导电，又有电子导电，称之为双极型晶体管（BiplarJunctionTransistor，BJT）12/30/20257

结型场效应管的工作原理（续）12/30/20258

结型场效应管的工作原理（续）12/30/202510

3．结型场效应管的特性曲线12/30/202511

6.5场效应晶体管6.5.1结型场效应管6.5.2绝缘栅型场效应管6.5.3场效应管的特性6.5.4场效应管的应用12/30/202513

1．绝缘栅型场效应管的基本结构根据导电沟道的不同特性，IGFET分为N沟道P沟道增强型（Enhancement-type）耗尽型（Depletion-type）12/30/202515

绝缘栅型场效应管的基本结构（续）12/30/202516

2．绝缘栅型场效应管的工作原理和特性曲线绝缘栅型场效应管是一种电压控制型器件，栅极和源极之间的电压UGS为控制信号，漏极电流ID为被控制信号。12/30/202518

（1）N沟道增强型IGFETIGFET不能像JFET那样靠改变耗尽层宽度来控制漏极和源极间沟道的导电性能。12/30/202519

①UGS对ID的控制作用12/30/202520

UGS对ID的控制作用（续）12/30/202521

②UDS对ID的控制作用（续）12/30/202522

N沟道增强型IGFET特性曲线（续）12/30/202524

（2）N沟道耗尽型IGFET在恒流区的转移特性12/30/202525

N沟道耗尽型IGFET特性曲线12/30/202526

6.5场效应晶体管6.5.1结型场效应管6.5.2绝缘栅型场效应管6.5.3场效应管的特性6.5.4场效应管的应用12/30/202528

6.5.3场效应管的特性1．场效应管的特性曲线2．场效应管的特性参数12/30/202529

场效应管的特性曲线（续）改变UGS将改变导电沟道的宽度，从而改变漏极和源极间的导电性能。当改变UGS使沟道宽度为零时，场效应管截止；当沟道宽度不为零，而且UDS较小时，它对沟道的影响可以忽略，场效应管工作于（受UGS控制的）可变电阻区。12/30/202531

场效应管的特性曲线（续）增大UDS，它对沟道的影响不能忽略，随着UDS的增大，沟道将发生预夹断，使场效应管进入恒流区（放大区）；UDS过大，将使场效应管发生击穿。当把场效应管作为一种电压控制电流型的放大器件时，UGS为输入（控制）信号，ID为输出（被控制）信号。12/30/202532

2．场效应管的特性参数⑴开启电压UGS(th)（或UT）⑵夹断电压UGS(off)（或UP）⑶饱和漏极电流IDSS⑷输入电阻RGS⑸低频跨导（互导）gm⑹最大漏极功耗PDM12/30/202533

6.5.4场效应管的应用利用恒流区“ID基本上只受UGS控制，UGS不变则ID基本不变”的特点，可用场效应管实现放大器和恒流源。利用可变电阻区“沟道电阻受只受UGS控制”的特点，可用场效应管实现压控线性电阻。利用夹断区“漏极电流ID为零”的特点，可用场效应管实现做无触点的电子开关。场效应管不允许工作在击穿区，长时间通过大电流会烧毁场效应管。12/30/202534