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全氧化物PN结与多铁隧道结：制备工艺与性能的深度探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体领域，PN结作为构建各类半导体器件的基础单元，其性能的优化与创新一直是研究的核心。传统的硅基PN结在现代电子技术中占据着重要地位，广泛应用于二极管、晶体管、集成电路等器件中，为信息的处理、存储和传输提供了关键支撑。然而，随着电子设备朝着小型化、高性能化方向发展，传统硅基PN结在某些方面逐渐暴露出局限性，如在高温、高频等极端条件下性能下降，难以满足新兴应用场景的需求。

全氧化物PN结的出现为解决这些问题提供了新的途径。氧化物材料具有丰富的物理性质，如高介电常数、铁电性、磁性等，将其应用