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uClinux平台下的Flash存储技术

摘要:较为详细地介绍嵌入式操系统

uClinux平台下的Flash存储技术,并给出

基于三星S3C4510系统下Dlash存储器具体

设计实例。

关键词:Flash存储技术uClinux平台

S3C4510

1Flash类型与技术特点

Flash主要分为NOR和NAND两类。下面对二

者较为详细的比较。

性能比较

Flash闪存是非易失存储器,可以对存储器

单元块进行擦写和再编程。任何Flash器件

进行写入操前必须先执行擦除。NAND器件

执行擦除操十分简单;而NOR则要求在进

行擦除前,先要将目标块内所有的位都写为

Oo擦除NOR器件时是以64〜128KB的块进

行的,执行一个写入/擦除操的时间为1〜

5s;擦除NAND器件是以8〜32KB的块进行

的,执行相同的操最多只需要4ms。执行

擦除时,块尺寸的不同近一步拉大了NOR和

NADN之间的性能差距。统计表明,对于给定

的一套写入操,更多的擦除操必须在基

于NOR的单元中进行。因此,当选择存储解

决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素。

*NOR的读取速度比NAND稍快一些。

*NAND的写入速度比NOR快很多。

*NAND的擦除速度远比NOR快。

*大多数写入操需要先进行擦除操。

*NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更

少。

接口差别

NORFlash带有SRAM接口,有足够的地址引

脚来寻址,可以很容易地存取其内容的每一

字节。

NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数

据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。

8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。

NAND的读和写操采用512字节的块,这一

点有点像硬盘管理此类操。很自然地,基

于NAND的存储器就可以取代硬盘或其它块

设备。

容量和成本

NANDFlash的单元尺寸几乎是NOR器件的一

半。由于生产过程更为简单,NAND结构可以

在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就

相应地降低了价格。

NORFlash占据了大部分容量为1〜16MB

内存市场,而NANDFlash只是用在8〜128MB

产品当中。

可靠性和耐用性

采用Flash介质时,一个需要重点考虑问

题是可靠性。对于需要扩展MTBF系统来

说,Flash是非常合适存储方案。可以从

寿命、位交换和坏块处理三个方面来比较

NOR和NAND可靠性。

寿命

在NAND闪存中,每个块最大擦写次数是

100万次,而NOR擦写次数是10万次。NAND

存储器除了具有10:1块擦除周期优势外,

典型NAND块尺寸要比NOR器件小8位,

每个NAND存储器块在给定时间闪删除次

数要少一些。

位交换

所有Flash器件都受位交换现象困扰。在

某些情况下,一个比特位会发生反转或被报

告反转了。

一位变化可能不很明显,但是如果发生在

一个关键文件上,这个小小

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