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光伏制造常识题库及答案

1.多晶硅生产中，改良西门子法的核心反应是三氯氢硅（SiHCl?）在还原炉内被氢气还原生成多晶硅，该反应的化学方程式是什么？

答案：SiHCl?+H?→Si+3HCl（反应条件为1080-1150℃，硅芯通电加热）。

2.直拉单晶硅（CZ法）生长过程中，晶转与埚转的转速比通常控制在什么范围？其主要作用是什么？

答案：晶转与埚转转速比一般为1:1至1:3（如晶转10-15rpm，埚转5-10rpm）。通过反向旋转可改善熔硅对流，均匀温度场，减少氧碳杂质分布不均问题。

3.单晶硅棒生长时，氩气的通入流量通常为多少？其在炉内的主要作用包括哪些？

答案：氩气流量一般控制在50-150L/min（具体与炉型相关）。作用包括：①隔绝空气，防止硅熔体氧化；②带走还原反应产生的HCl、SiO等副产物；③通过气流扰动调节熔硅表面温度梯度，影响晶体生长界面形态。

4.光伏级多晶硅的纯度要求通常为多少N？N型硅料与P型硅料的主要区别是什么？

答案：光伏级多晶硅纯度需≥9N（99.9999999%）。N型硅料以磷（P）为掺杂剂，电阻率较高（通常1-10Ω·cm）；P型硅料以硼（B）为掺杂剂，电阻率较低（通常0.5-3Ω·cm），二者分别用于生产N型和P型太阳能电池。

5.硅片切割过程中，使用的金刚线线径对切割效率和硅片质量有何影响？当前主流单晶PERC电池对应的硅片厚度是多少？

答案：线径越细（如38-45μm），切割损耗（线损）越小，出片率越高，但线径过细易断丝；线径越粗（如50μm以上），切割稳定性提升，但硅料浪费增加。当前主流单晶PERC电池硅片厚度为160-170μm（薄片化趋势下部分产线已降至150μm以下）。

6.硅片制绒工序中，单晶硅与多晶硅的制绒原理有何差异？单晶硅制绒常用的腐蚀液配方是什么？

答案：单晶硅利用各向异性腐蚀（在KOH/NaOH+IPA溶液中，沿100晶向腐蚀速率快于111晶向）形成金字塔绒面；多晶硅因晶向无序，需用HF+HNO?的各向同性腐蚀形成凹坑状绒面。单晶硅制绒液典型配方为：KOH浓度1-3wt%，异丙醇（IPA）浓度5-10wt%，温度75-85℃。

7.太阳能电池扩散工序中，常用的磷源是什么？扩散后形成的PN结结深一般控制在多少？方阻范围是多少（以P型硅衬底为例）？

答案：常用磷源为液态三氯氧磷（POCl?）或固态磷源（如磷浆）。PN结结深通常为0.3-0.5μm（PERC电池约0.4μm），方阻控制在80-120Ω/□（常规BSF电池约60-80Ω/□，TOPCon电池因需要更浅结深，方阻可达120-180Ω/□）。

8.电池片刻蚀工序的主要目的是什么？湿法刻蚀与等离子体刻蚀（干法刻蚀）的适用场景有何不同？

答案：刻蚀工序用于去除硅片边缘的PN结（防止边缘漏电）及背面的磷硅玻璃（PSG）。湿法刻蚀（HF+HNO?溶液）适用于多晶硅电池，可同时完成边缘刻蚀和去PSG；干法刻蚀（SF?/O?等离子体）适用于单晶硅电池，刻蚀精度更高，对绒面损伤小。

9.太阳能电池减反膜的主要材料是什么？其折射率需满足什么条件才能实现最优减反效果？（假设硅的折射率为3.5）

答案：减反膜主流材料为氮化硅（SiNx），部分高效电池（如HJT）使用氧化硅（SiO?）+氮化硅叠层膜。根据quarter-wave减反原理，理想折射率n=√n_substrate（n_substrate为硅折射率3.5），因此SiNx折射率需控制在1.8-2.0（实际生产中通常为1.9-2.0），厚度约75-85nm（对应550nm波长）。

10.PERC电池的关键工艺是背面钝化，其钝化层通常由哪两种材料组成？各自的作用是什么？

答案：PERC电池背面钝化层为氧化铝（Al?O?）+氮化硅（SiNx）叠层结构。Al?O?通过固定负电荷（~1e12-1e13cm?2）实现场钝化，有效降低硅表面少子复合；SiNx作为减反层（提升长波吸收）并保护Al?O?层，同时提供氢钝化（减少界面缺陷）。

11.太阳能电池金属化工艺中，正银浆料与背银/背铝浆料的主要成分差异是什么？烧结过程分为哪三个阶段？

答案：正银浆料含高纯度银粉（98-99%）、玻璃粉（PbO/Bi?O?体系，用于刻蚀减反膜并与硅形成欧姆接触）及有机载体；背银/背铝浆料含铝粉（背铝）或银粉（背银）、玻璃粉（低熔点，如B?O?-SiO?体系）及有机载体。烧结分为：①干燥阶段（150-300℃，挥发有机载体）；②烧结阶段（750-850℃，玻璃粉熔融刻蚀减反膜，金属颗粒熔接）；③冷却阶段（形成稳固的金属电极）。

12.电池片效率测试的标准条件（STC）是什么？开路