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横向多孔GaN：解锁光电器件性能与应用新境界

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的发展历程中，氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的杰出代表，凭借其独特的物理性质，在光电器件领域占据了举足轻重的地位。GaN具有宽禁带（约3.4电子伏特）、高电子迁移率、高饱和漂移速度以及良好的热稳定性和化学稳定性等一系列优异特性。这些特性使得GaN在光电子、功率电子和射频器件等多个领域展现出巨大的应用潜力，成为推动现代科技进步的关键材料之一。

在光电子领域，GaN基发光二极管（LED）已经广泛应用于照明、显示和通信等领域，彻底改变了传统的照明方式，实现了高效、节能的照明效果，并且在显示技术中，GaN基LED使得显示屏幕的色彩更加鲜艳、对比度更高。GaN基激光二极管也在光存储、光通信和激光显示等领域发挥着重要作用，为高速数据传输和高分辨率显示提供了有力支持。在功率电子领域，GaN器件具有低导通电阻、高开关速度和高功率密度等优势，能够显著提高电源转换效率，减小器件体积和重量，这使得GaN在电动汽车、可再生能源、数据中心等领域具有广阔的应用前景，有助于推动能源的高效利用和可持续发展。在射频器件领域，GaN凭借其高电子迁移率和高饱和漂移速度，能够实现高频率、高功率的信号放大和处理，被广泛应用于5G通信、雷达和卫星通信等领域，为实现高速、稳定的无线通信提供了关键技术支持。

然而，随着科技的飞速发展，对光电器件性能的要求日益提高，传统的体相GaN材料在某些应用中逐渐暴露出一些局限性。例如，体相GaN对光的吸收和发射效率有限，在与其他材料集成时存在兼容性问题等，这些问题限制了光电器件性能的进一步提升。为了克服这些局限性，研究人员开始关注GaN的纳米结构，特别是多孔结构。通过精确控制多孔结构的纳米尺寸，可以有效调节材料的光吸收、散射和发射特性，从而实现对光的更高效利用。例如，多孔结构可以增加材料的比表面积，提高光与材料的相互作用几率。横向多孔GaN作为一种特殊的纳米结构，具有表面平整、可利用电化学腐蚀的电导选择性获得分布式布拉格反射镜（DBR）等优点，在半导体器件应用方面展现出潜在的应用前景。

研究基于横向多孔GaN的光电器件具有重要的理论和实际意义。从理论角度来看，深入研究横向多孔GaN的结构、光学和电学特性，以及其在光电器件中的作用机制，有助于丰富和完善半导体物理理论，为新型光电器件的设计和优化提供坚实的理论基础。从实际应用角度来看，基于横向多孔GaN的光电器件有望在照明、显示、通信、光存储等领域实现性能的显著提升，推动相关产业的技术升级和发展，具有巨大的经济价值和社会效益。

1.2国内外研究现状

国内外对于横向多孔GaN光电器件的研究已经取得了一系列成果。在制备工艺方面，诸多研究聚焦于如何精确控制横向多孔GaN的结构参数。电化学腐蚀法是常用的制备手段，通过调整电解液成分、腐蚀电压和时间等参数来调控多孔结构。如在以1-乙基-3-甲基咪唑三氟甲磺酸盐为电解液时，改变直流电压和刻蚀时间，能获得不同质量的多孔GaN。有学者通过优化工艺，制备出了孔隙分布均匀、尺寸可控的横向多孔GaN，为后续器件性能提升奠定基础。还有研究团队利用光刻技术与电化学腐蚀相结合，实现了对多孔结构的图案化控制，拓展了其在集成光电器件中的应用可能。

在光电探测器领域，基于横向多孔GaN的器件展现出独特优势。有研究制备的多孔GaN/CuZnS异质结近-紫外光电探测器，利用GaN的多孔结构和CuZnS的光学滤波效应，在-2V偏压和370nm光照下，光暗电流比超过四个数量级，且具有超窄带近-紫外光响应，半高宽小于8nm，在荧光检测、生物传感等对光谱分辨率要求高的领域有潜在应用价值。另有团队制备的多孔GaN/β-Ga?O?异质结紫外光探测器，可实现对短波和长波紫外光的灵敏探测，在2V偏压下254nm波长光照射时，光响应度达70mA/W，比探测率为3.95×1012Jones，在紫外通信、环境监测等领域有广阔应用前景。

在发光器件方面，将横向多孔GaN应用于LED，能提高光提取效率。有研究通过在GaN中引入横向多孔结构，增加了光在器件内部的散射，减少了光的内部吸收，从而提高了出光效率，使LED的发光强度和发光均匀性得到改善，有望应用于高亮度照明和显示领域。

尽管已取得上述成果，当前研究仍存在不足。在制备工艺上，现有的制备方法难以实现大面积、高质量、均匀的横向多孔GaN制备，且工艺复杂、成本较高，限制了其大规模生产应用。在器件性能优化方面，对横向多孔GaN与其他材料的界面兼容性研究还不够深入，导致器件界面处存在较高的缺陷密