CTM器件Si3N4俘获层中H和O杂质的第一性原理深度剖析与影响机制研究.docx

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2026-01-03 发布于上海
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CTM器件Si3N4俘获层中H和O杂质的第一性原理深度剖析与影响机制研究

一、引言

1.1CTM器件概述

随着现代信息技术的飞速发展，存储技术在电子设备中占据着愈发重要的地位。作为一种新型的存储器件，CTM（ChargeTrappingMemory）器件，即电荷俘获存储器，近年来受到了广泛的关注和研究。CTM器件基于电荷俘获和释放的原理实现信息的存储与读取，其基本工作原理是通过在绝缘层中引入特定的电荷俘获中心，当施加外部电场时，电子或空穴被捕获到这些中心，从而代表存储的信息“0”或“1”；而在读取操作时，通过检测电流或电压的变化来判断电荷的存在状态，进而获取存储的数据。这种独