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2026年有研科技工艺工程师面试题及答案解析

一、专业知识与技能（共5题，每题8分，总分40分）

1.题1（8分）：简述半导体晶圆制造中，化学机械抛光（CMP）工艺的关键参数及其对薄膜平坦度的影响。请列举至少三个主要参数并说明其作用。

2.题2（8分）：在高温合金材料的焊接过程中，常见的焊接缺陷有哪些？请说明如何通过工艺优化来减少气孔和裂纹的产生。

3.题3（8分）：阐述电子束蒸镀（EBP）与磁控溅射在薄膜沉积方面的主要区别，并说明在哪些应用场景下更倾向于使用EBP。

4.题4（8分）：介绍一种你熟悉的表面处理技术（如蚀刻、氧化、氮化等），并说明该技术在半导体或新能源器件中的作用及工艺控制要点。

5.题5（8分）：结合有研科技的业务方向（如稀有金属材料、半导体靶材等），解释如何通过工艺改进提高某种关键材料的良率，并举例说明。

二、行业与公司认知（共3题，每题10分，总分30分）

1.题1（10分）：有研科技在稀有金属材料领域有哪些核心优势？请结合市场趋势，分析公司在未来3-5年的发展方向。

2.题2（10分）：简述有研科技与国内外知名半导体企业的合作关系，并说明公司如何通过工艺技术支持客户解决高端芯片制造中的难题。

3.题3（10分）：阐述有研科技在新能源材料（如锂电池正负极材料、光伏靶材等）的工艺研发方向，并举例说明一项突破性工艺及其潜在的商业价值。

三、工艺问题解决（共4题，每题12分，总分48分）

1.题1（12分）：在某高端半导体器件的制造过程中，发现薄膜厚度均匀性波动较大，请分析可能的原因并提出至少三种解决方案。

2.题2（12分）：某种金属靶材在溅射过程中出现靶材损耗不均，导致沉积薄膜的成分偏离目标值，请解释可能的原因并设计一个工艺优化方案。

3.题3（12分）：在高温合金焊接后，发现焊缝存在未熔合现象，请说明可能的原因并提出预防措施，包括工艺参数调整和材料选择建议。

4.题4（12分）：某种化合物半导体器件在退火过程中出现性能不稳定，请分析退火工艺的关键控制点（如温度曲线、气氛、时间等）并优化方案。

四、实验设计与数据分析（共2题，每题15分，总分30分）

1.题1（15分）：假设你需要优化某种薄膜的沉积速率，请设计一个实验方案，包括变量控制、数据采集方法以及如何评估工艺改进效果。

2.题2（15分）：某项工艺实验记录显示，不同工艺参数下的薄膜应力值差异显著，请分析应力产生的原因，并提出如何通过实验数据确定最佳工艺窗口。

五、开放性问题（共1题，20分）

1.题1（20分）：结合有研科技的技术优势，谈谈你对未来半导体或新能源材料领域“绿色工艺”发展趋势的看法，并说明公司可以如何布局相关研发方向。

答案解析

一、专业知识与技能

1.答案：

-主偏压（MainBias）：控制抛光液与晶圆的相互作用力，影响材料去除速率和平坦度。过高可能导致划伤，过低则去除不均。

-抛光液流量（SlurryFlowRate）：影响抛光液更新速率和热量传递，过高可能导致热量积聚，过低则抛光效率下降。

-抛光垫压力（PadPressure）：控制机械磨损和化学作用的平衡，过高易损坏晶圆表面，过低则平坦度不足。

解析：CMP工艺依赖化学与机械作用的协同，参数需精细调节以兼顾速率与均匀性。有研科技在CMP领域有自主研发的抛光液和垫材技术，需结合实际案例展开。

2.答案：

-常见缺陷：气孔（焊接材料中的杂质形成）、裂纹（热应力或材料脆性）、未熔合（焊接区域未完全结合）。

-减少气孔：优化保护气体纯度（如Ar气）、控制焊接速度、预热温度；减少母材和焊材中的氢含量。

-减少裂纹：调整焊接顺序（如分段退火）、控制层间温度、选用韧性更高的填充材料。

解析：高温合金焊接需兼顾熔合与抗裂性，有研科技针对镍基高温合金有成熟工艺体系，需结合具体材料（如Inconel）展开。

3.答案：

-区别：

-EBP：能量高、沉积速率快、薄膜纯度高，适用于高熔点材料（如W、Mo）；但设备成本高。

-磁控溅射：功率密度可控、适用于大面积均匀沉积、成本较低，但薄膜纯度略低。

-EBP应用场景：高功率器件靶材、高纯度合金沉积（如半导体硅化物）。

解析：有研科技在EBP靶材领域有技术积累，需结合公司产品（如SiC靶材）说明。

4.答案：

-技术：蚀刻（干法刻蚀）

-作用：精细加工电路图案、制造三维结构（如MEMS）。

-控制要点：刻蚀气体选择、等离子体功率、温度、刻蚀速率监控。

解析：有研科技在半导体刻蚀工艺有与设备商（如LamResearch）合作经验，需结合实际案例。

5.答案：

-材料：高纯度