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《热加工工艺》2015年l0月第44卷第19期
轴向磁场对多晶硅定向凝固过程中热流场的影响
宋华伟1，罗玉峰，张发云2,3，胡云2,3，彭华厦。刘杰
(1．南昌大学机电工程学院，江西南昌330031；2．新余学院新能源科学与工程学院，江西新余338004；3．江西省
高等学校硅材料重点实验室，江西新余338004)
摘要：采用Comsol4．3a软件建立了轴向磁场作用下多晶硅定向凝固的二维轴对称模型，通过有限元方法将硅熔
体中的电磁场、温度场和流速场进行了耦合数值计算。结果表明：当磁场线圈中心面位于熔体中心面下方60inln处时，
其磁场线高密度集中在熔体中心面下方强浮力对流区域，且均匀分布。此时硅熔体的最大流速为41Izm／s，相比磁场线
圈位于熔体中心面上方60mlTl处的流速场减小了41．43％。随着磁场强度的增加，硅熔体中等温线越来越稀疏。与未施
加磁场相比，轴向温度梯度减小了15K／cm，硅熔体中的晶体生长速率增加。硅熔体温度梯度与晶体生长速率之比G／
值变小会使得其结晶前沿界面产生组分过冷，导致细晶的生成，这方面有待于进一步的研究。
关键词：多晶硅；磁场；温度场；流速场；数值模拟
DOI：10．14158／j．cnld．1001-3814．2015．19．021
中图分类号：TG244文献标识码：A文章编号：1001—3814(2015)19-0079-05
Effect0fA】Ii【alMagneticFieldonThermalFlowFieldofPoIysilicon
DuringDirectionalSolidification
IOYufeng2．3，SONGHuawei，ZHNGFam2，3，HUYun2，3，PENGHuaxia，‘LIUJie
(1．SchoolofMechanicalandElectricalEngineering，NnachangUniversity，Nanchnag33003l，China；2．SchoolofNew
EnergySciencenadEngnieering，XinyuUniversiy，Xniyu338004，China；3．KeyLaboratoryofJinagxiUniversiytforSilicon
Materials，Xniyu338004，Chnia)
Abstract：Atwodimensionalaxisymmetricmodelofpolysiliconduringdirectionalsolidificationundertheaxial
magneticfieldwasestablishedbyComsol4．3asoftware．Theelectromangeticfield．temperaturefieldandflowvelocityfieldin
siliconmeltwerecouplednadnumericallycalculatedbyusingfiniteelementmethod．Theresultsshow也atwhenhtecenter
planeofmangeticfieldcoilislocatedinhtecenterofmeltsurfacebelow60mm，mangeticfieldlineshigh-densiytrae
concentratedinstrongbuoynacyconvectionzonebelowthemeltcenterplane．naddistributionisuniof衄．Themaximum
velocityofhtesiliconmeltis41i~m／snithisposition．Itisreducedby41．43％comparedwihtthevelociytfieldofhtefieldcoil
of60mmabovehtemeltcentralplane．Wihtthenicreaseofmagneticfieldnite
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