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集成电路制造工艺
--热扩散的基本原理;;;§5.2扩散方法;1.液态源硼扩;(2)扩散原理;硼酸三甲酯高温分解出三氧化二硼,三氧化二硼在900℃左右与硅反应生成硼原子并沉积于硅表面,形成一层含有大量硼原子的SiO2,其中的硼原子继续向硅中扩散,在表面形成一层高浓度的掺杂层,完成预淀积。
经过预沉积的硅片在漂去硼硅玻璃后在氧气中进行再分布,使杂质向里推进。;5寸扩散炉;2.液态源磷扩——三氯氧磷;液态源磷扩的基本原理与硼酸三甲酯相似,在磷扩预淀积时,由于生成的PCl5对硅有腐蚀作用,所以加入少量的氧气,将PCl5
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