集成电路制造工艺 课件 7.2 单晶硅的质量检验.pptx

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集成电路制造工艺

--硅单晶的制备

单位:江苏信息职业技术学院

微电子教研室

第七章衬底制备

第七章衬底制备

§7.2硅单晶的质量检验

单晶锭拉完以后,主要从以下几个方面进行质量检验:

物理性能

是否单晶

晶向

直径

电气参数

导电类型

电阻率

少子寿命

载流子迁移率

缺陷

位错

微缺陷

一.物理性能的检验

1.单晶体的检验:

2.晶向的测定:

三根或六根:

(111)晶向

四根或八根:

(100)晶向

六根不对称:

(110)晶向

(2)位错腐蚀法:

(1)根据棱线的数目判定晶向:

原理:位错处原子排列不规则,所以位错处原子首先被腐蚀,不同的晶向,腐蚀坑的形

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