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集成电路制造工艺
--硅单晶的制备
单位:江苏信息职业技术学院
微电子教研室
第七章衬底制备
第七章衬底制备
§7.2硅单晶的质量检验
单晶锭拉完以后,主要从以下几个方面进行质量检验:
物理性能
是否单晶
晶向
直径
电气参数
导电类型
电阻率
少子寿命
载流子迁移率
缺陷
位错
微缺陷
一.物理性能的检验
1.单晶体的检验:
2.晶向的测定:
三根或六根:
(111)晶向
四根或八根:
(100)晶向
六根不对称:
(110)晶向
(2)位错腐蚀法:
(1)根据棱线的数目判定晶向:
原理:位错处原子排列不规则,所以位错处原子首先被腐蚀,不同的晶向,腐蚀坑的形
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