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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN107302080A
(43)申请公布日
2017.10.27
(21)申请号201710472669.4
(22)申请日2017.06.21
(71)申请人天津爱敏特电池材料有限公司
地址300350天津市津南区津沽路818号
(72)发明人王圆方梁运辉高川代建国
(74)专利代理机构天津市杰盈专利代理有限公
司12207
代理人纪百灵
(51)Int.Cl.
H01M4/1395(2010.01)
H01M4/04(2006.01)
H01M4/38(2006.01)
H01M4/62(2006.01)
H01M4/134(2010.01)
H01M10/0525(2010.01)
权利要求书1页说明书4页附图1页
(54)发明名称
一种硅基薄膜负极材料及其制备方法
(57)摘要
本发明公开了一种硅基薄膜负极材料及其
制备方法,通过将硅纳米材料和碳源前驱体共同
分散在溶剂中形成浆料,然后把浆料涂覆在锂电
池用导电集流体上,烘干并碾压,最后将所得极
片高温热处理即制得用于锂离子电池的硅基薄
膜负极材料。通过应用硅基材料纳米化,碳源前
驱体造孔和碳包覆,浆料涂覆成膜,用于增强薄
膜材料结合力的极片碾压及高温热处理等多项
技术,制备了性能优异的硅基薄膜负极材料。本
发明所采用的工艺简单、易于操作,所制备硅基
薄膜负极材料的容量高、循环寿命长,适合商业
化生产以及锂离子电池中应用。
A
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8
0
2
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3
7
0
1
N
C
-1-
CN107302080A权利要求书1/1页
1.一种硅基薄膜负极材料及其制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(一)将硅纳米材料和碳源前驱体共同分散在溶剂中形成浆料;
(二)将所述步骤(一)制备的浆料涂覆在锂电池用导电集流体上,烘干,碾压;
(三)将所述步骤(二)中所得极片置于真空或者惰性气氛中,在400
1200
℃下高温
~
热处理,即制得用于锂离子电池的硅基薄膜负极材料。
2.根据权利要求1所述的硅基薄膜负极材料的制备方法,其特征在于,所述步骤(一)中
的硅纳米材料为硅单质、硅氧化物以及两者的复合物,平均粒径为20
800
nm。
~
3.根据权利要求1所述的硅基薄膜负极材料的制备方法,其特征在于,所述步骤(一)中
的碳源前驱体与硅纳米材料的重量比为1:2
1:100。
~
4.根据权利要求1所述的硅基薄膜负极材料的制备方法,其特征在于,所述步骤(一)中
的浆料的固含量不超过60
%。
5.根据权利要求1所述的硅基薄膜负极材料的制备方法,其特征在于,所述步骤(二)中
电极材料碾压后的厚度为0.05
50
μm。
~
6.根据权利要求15任一项权利要求所述的硅基薄膜负极材料制备方法制得的硅基薄
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