高压板电源管理电路设计与性能分析.pdfVIP

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高级电源N沟道和P‑沟道增强型

ElectronicsCorp.模式功率MOSFET

▼简单的驱动需求D2N-CHBVDSS30V

D2

▼低导通电阻D1RDS(ON)28mΩ

D1

▼快速开关性能ID7A

G2

S2P-CHBVDSS-30V

G1

S1

SO-8R50mΩ

DS(ON)

描述ID‑5.3A

APEC的高级功率MOSFET为设计人员了快速开关、强化的

器件设计、低导通电阻和高成本效益的最佳组合。

D1D2

SO‑8封装广泛适用于商业‑工业表面贴装应用,并适用于如

G1G2

DC/DC转换器等低压应用。

S1S2

绝对最大额定值

符号参数额定值单位

N沟道P沟道

VDS漏源电压30-30V

VGS栅源电压±20±20V

ID@T=25°C连续漏电流37.0-5.3A

A

ID@T=70°C连续漏极电流3

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