坩埚下降法制备CaF₂基晶体的数值模拟与缺陷调控研究.docxVIP

坩埚下降法制备CaF?基晶体的数值模拟与缺陷调控研究

一、绪论

1.1CaF?基晶体概述

CaF?基晶体，即氟化钙基晶体，是一类以CaF?为主要成分的晶体材料。其晶体结构属于立方晶系，钙离子（Ca2?）呈立方密堆积，氟离子（F?）填充在四面体空隙中，具有较为稳定的晶体结构。这种独特的结构赋予了CaF?基晶体一系列优异的特性。在光学领域，CaF?基晶体在0.13至11.3μm波段范围内具有高透过率，最高可达95%，应力双折射低（在200nm以上无明显本征双折射），折射率均匀性高，使其成为制作各类光学窗口、棱镜及透镜等光学元件的理想材料。在激光领域，CaF?基晶体也展现出了重要的应用价值，例如在激光系统中作为增益介质或光学元件，有助于提高激光的输出效率和光束质量。此外，在其他领域，如电子、仪表、光学仪器制造等，CaF?基晶体也发挥着关键作用。其良好的光学性能使其可用于制造高分辨率的显微镜物镜，提高成像质量；在红外光学系统中，作为红外窗口材料，能有效透过红外线，实现信号的传输和探测。

1.2CaF?基晶体生长方法

1.2.1坩埚下降法原理与流程

坩埚下降法又称布里奇曼晶体生长法，是一种常用的熔体生长晶体的方法。其基本原理是将盛满原料的坩埚置放在竖直的炉内，炉膛通常分为上中下3部分，中间以隔热板隔开。上部高温区温度较高，能使坩埚内的原料维持熔融状态；中间部位温度梯度较大，通常为10-30℃/cm；下部低温区则温度较低。当坩埚在炉内由上往下缓缓下降到温度梯度区时，原料熔体就开始缓慢结晶。在CaF?基晶体生长中，首先将高纯度的CaF?原料装入合适的坩埚中，一般选用耐高温、化学稳定性好的石英坩埚或石墨坩埚。将坩埚放入晶体生长炉中，按照预定的升温程序将炉温升高至CaF?熔点（1360℃）以上，使原料完全熔融。之后，以一定的下降速度（如0.5-2mm/h）使坩埚缓慢下降通过温度梯度区，在坩埚底部首先达到熔点以下，熔体开始结晶，随着坩埚的继续下降，晶体逐渐向上生长，直至整个熔体结晶为完整的CaF?基晶体。生长结束后，缓慢冷却晶体至室温。坩埚下降法具有设备相对简单、成本较低的优点，且可采用全封闭或半封闭的坩埚，有利于控制成分，适合生长大块晶体，也可以一炉同时生长几块晶体，工艺条件容易掌握，易于实现程序化、自动化。然而，该方法生长的晶体缺陷较多，位错密度大，生长周期较长，在晶体生长过程中也难于直接观察。

1.2.2其他常见生长方法对比

提拉法也是一种常用的晶体生长方法。在提拉法中，将籽晶与熔体接触，然后缓慢向上提拉籽晶，同时旋转籽晶，使熔体在籽晶上逐渐结晶生长。与坩埚下降法相比，提拉法生长情况便于观察，尺寸容易控制，晶体被拉出液面不与器壁接触，不受容器限制，因此晶体中应力小，同时又能防止器壁沾污或接触所可能引起的杂乱晶核而形成多晶，直拉法制成的单晶完整性好，晶体外型规整，直径和长度都可以很大，生长速率也高，光学性能较好，均一性较高。但提拉法晶体尺寸受到限制，晶体质量不稳定，直拉炉中存在热对流现象，热场不稳定，容易造成固液界面不稳定，降低晶体质量，位错密度较大，需要铱金坩埚，成本较高，同时晶体可能会受到坩埚材料的污染。温梯法是使熔体在一定温度梯度下，从高温区向低温区逐渐结晶。该方法生长的晶体质量较高，但当原料完全融化时，坩埚可能因承受不了高温而熔塌，还可能受到石墨等材料的污染。坩埚下降法在生长大块晶体、成本控制和成分控制方面具有优势，适用于对晶体尺寸要求较大、对成本较为敏感且对晶体缺陷容忍度相对较高的应用场景；而提拉法更适合对晶体质量和尺寸精度要求较高、对成本不太敏感的场合；温梯法适用于对晶体质量要求极高，且能解决坩埚高温耐受和污染问题的特殊需求。

1.3CaF?基晶体中的缺陷

1.3.1缺陷类型及形成机制

CaF?基晶体中的缺陷按几何形态可分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。点缺陷是三维方向上缺陷尺寸处于原子大小数量级上的缺陷，包括空位、间隙质点、杂质质点和色心等。空位是指原子或离子离开正常格点位置留下的空位点；间隙质点是指挤入点阵间隙的原子或离子；杂质质点则是外来杂质原子进入晶体点阵形成的缺陷。点缺陷的形成主要源于热起伏，当晶体温度高于0K时，晶格上质点热振动，部分能量较高的质点离开平衡位置，形成空位和间隙质点，即热缺陷，包括弗伦克尔缺陷（空位和间隙质点成对出现）和肖特基缺陷（正负离子空位成比例出现）。杂质的引入也会产生杂质缺陷。线缺陷是一维方向上较长、另二维方向很短的缺陷，主要为各种类型的位错。位错的产生与晶体生长过程中的应力、不均匀的温度分布以及晶体的塑性变形等因素有关。在晶体生长时，由于温度梯度、机械振动等原因，晶体内部会产生应力，当应力超过一定程度时，就会导致晶体原子