SiC MOSFET高频逆变电路的振荡分析与抑制.pdfVIP

第58卷第10期电力电子技术Vol.58,No.10

2024年10月PowerElectronicsOctober2024

SiCMOSFET高频逆变电路的振荡分析与抑制

胡善超，王旭红，于秀健，郝思睿

（北京工业大学，信息学部，北京100124)

摘要：电磁法探测技术通过向地面发送可控的方波信号并接收地下矿层反射回的信号以获取地质信息，电磁

发射机的输出频率、电压和电流均可调节。随着对大功率和高频开关的需求不断增长，SiC金属氧化物半导体

场效应晶体管（MOSFET)已成为新一代半导体技术的标志。然而，较高的开关频率引发了开关振荡问题。这里

分析了SiCMOSFET的开关过程，通过仿真研究确定了杂散电感和驱动电阻对开关动态过程的显著影响，并设

计了一种C型缓冲电路设计来有效抑制过电压开关振荡现象。实验结果显示，在开通和关断电阻设定为1Q

时，该C型缓冲电路显著降低了开关过程中的电压尖峰和振荡问题，验证了其在实际应用中的效果与可行性。

关键词：电磁发射机；开关振荡；缓冲电路

中图分类号：TN32文献标识码：A文章编号：1000-100X(2024)10-0031-04

OscillationAnalysisandSuppressionofSiCMOSFET

HighFrequencyInverterCircuit

HUShan-chao,WANGXu-hong,YUXiu-jian,HAOSi-rui

(BeijingUniversityofTechnology,Beijing100124,China)

Abstract:Electromagneticdetectiontechnologyobtainsgeologicalinformationbysendingcontrollablesquarewavesig-

nalstothegroundandreceivingsignalsreflectedbackfromundergroundorelayers.Theoutputfrequency,voltage,

andcurrentoftheelectromagnetictransmittercanbeadjusted.Withtheincreasingdemandforhigh-powerandhigh-

frequencyswitches,SiCmetaloxidesemiconductorfield-effecttransistor(MOSFET)havebecomethehallmarkofthe

newgenerationofsemiconductortechnology.However,higherswitchingfrequencieshavecausedaseriesofserious

switchingoscillationproblems.Anin-depthanalysisoftheswitchingprocessofSiCMOSFETisprovided.Throughsim-

ulationresearch,thesignificanteffectsofstrayinductanceanddrivingresistanceontheswitchingdynamicprocess

aredetermined,andaC-typebuffercircuitdesignisproposedtoeffectivelysuppressovervoltageswitchingoscill