（集成电路科学与工程-光刻工艺）光刻工艺应用试题及答案.docVIP

2025年（集成电路科学与工程-光刻工艺）光刻工艺应用试题及答案

第I卷（选择题，共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。

1.光刻工艺的核心步骤不包括以下哪一项（）

A.光刻胶涂覆B.曝光C.刻蚀D.显影

2.光刻工艺中，用于将光刻胶均匀涂覆在晶圆表面的设备是（）

A.光刻机B.涂胶机C.刻蚀机D.显影机

3.光刻工艺中，曝光的目的是（）

A.在光刻胶上形成与掩膜版图案一致的图形B.去除多余的光刻胶

C.增强光刻胶的附着力D.清洗晶圆表面

4.光刻工艺中，常用的光刻胶类型不包括（）

A.正性光刻胶B.负性光刻胶C.化学增幅光刻胶D.磁性光刻胶

5.光刻工艺的分辨率主要取决于（）

A.光刻胶的厚度B.曝光光源的波长C.显影时间D.晶圆的尺寸

6.光刻工艺中，用于将曝光后的光刻胶显影的溶液是（）

A.光刻胶B.显影液C.蚀刻液D.清洗液

7.光刻工艺中，掩膜版的作用是（）

A.控制光刻胶的涂覆厚度B.决定曝光的时间

C.作为光刻图形的模板D.增强光刻胶的抗蚀性

8.光刻工艺中，曝光光源的波长越短，光刻分辨率（）

A.越低B.越高C.不变D.先高后低

9.光刻工艺中，为了提高光刻胶的分辨率，可以采取以下哪种措施（）

A.增加光刻胶的厚度B.降低曝光能量

C.使用更高分辨率的掩膜版D.延长显影时间

10.光刻工艺在集成电路制造中的主要作用是（）

A.形成晶体管的源极和漏极B.确定芯片的封装形式

C.定义芯片上的电路图案D.提高芯片的散热性能

答案：1.C2.B3.A4.D5.B6.B7.C8.B9.C10.C

第I卷（多项选择题，共20分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内，多选、少选或错选均不得分。

1.光刻工艺的主要流程包括（）

A.光刻胶涂覆B.曝光C.显影D.刻蚀E.去胶

2.光刻工艺中，曝光光源的类型有（）

A.紫外光B.深紫外光C.极紫外光D.可见光E.红外光

3.光刻工艺中，影响光刻胶性能的因素有（）

A.光刻胶的化学成分B.光刻胶的厚度C.曝光能量D.显影时间E.晶圆表面的平整度

4.光刻工艺在集成电路制造中的应用场景包括（）

A.定义晶体管的栅极B.形成互连线路C.制作存储器的存储单元D.芯片的封装E.芯片的测试

5.光刻工艺中，为了提高光刻质量，可以采取的措施有（）

A.优化光刻胶的涂覆工艺B.精确控制曝光参数C.选择合适的显影液D.定期清洁光刻设备E.提高晶圆的纯度

答案：1.ABCE2.ABC3.ABCDE4.ABC5.ABCD

第I卷（判断题，共10分）

答题要求：判断下列说法是否正确，正确的打“√”，错误的打“×”。

1.光刻工艺是集成电路制造中最关键的工艺之一。（）

2.光刻胶的厚度对光刻分辨率没有影响。（）

3.曝光光源的能量越高，光刻分辨率越高。（）

4.显影时间过长会导致光刻图形的尺寸变大。（）

5.光刻工艺只能用于制作集成电路的前端工艺。（）

答案：1.√2.×3.×4.×5.×

第Ⅱ卷（非选择题，共30分）

（一）简答题（共10分）

1.简述光刻工艺的基本原理。

_光刻工艺是利用光刻胶对特定波长的光敏感特性，通过掩膜版将芯片设计图案转移到光刻胶上，再经过显影等步骤，在晶圆表面形成与设计图案一致的光刻胶图形，以此为模板进行后续的刻蚀等工艺，从而实现芯片上电路图案的制作。_

（二）简答题（共10分）

2.光刻工艺中，曝光光源的选择需要考虑哪些因素？

_曝光光源的选择需要考虑波长，波长越短分辨率越高；能量，要合适以保证光刻效果；稳定性，确保曝光过程稳定；与光刻胶的兼容性，使光刻胶能有效响应曝光光；成本，综合考虑设备成本和运行成本等因素。_

（三）简答题（共10分）

3.光刻工艺中，光刻胶的涂覆有哪些要求？

_光刻胶涂覆要求均匀，厚度符合工艺标准，不能有气泡、条纹等缺陷，涂覆速度要适中，以保证光刻胶在晶圆表面平整附着，同时要避免光刻胶污染晶圆边缘等部位，确保后续光刻工艺的准确性。_

第Ⅱ卷（讨论题，共20分）

（一）讨论题（共10分）

1.随着集成电路技术的不断发展，光刻工艺面临哪些挑战？

_随着集成电路技