摘要
作为调控半导体纳米晶表界面特性的重要策略,晶面工程通过暴露特定原
子排布与电子结构优化的活性晶面,为突破传统半导体纳米晶气敏材料灵敏度
低、工作温度高及选择性不足等瓶颈问题提供了新思路。本文以BiMoO和
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MoS/SnO异质结材料为研究对象,聚焦晶面效应
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