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硅基掺铒二氧化钛薄膜电致发光特性及影响因素研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的迅猛发展，人类对数据传输和处理的需求呈现出爆发式增长。在这一背景下，基于硅材料的微电子技术虽然取得了辉煌成就，但如今正面临着严峻的物理极限挑战，摩尔定律也逐渐逼近失效的边缘。在此关键时刻，硅基光电子集成器件凭借其独特优势，成为了推动“后摩尔时代”技术持续进步的重要方向之一。

硅作为目前应用最为广泛的半导体材料，在微电子领域构建了庞大的产业基础。然而，由于硅是间接带隙材料，其导带底不在布里渊区中心，电子从导带底跃迁至价带顶时，需同时发射或吸收一个声子才能实现间接跃迁，这使得硅材料的发光效率极低，